[发明专利]一种光解水装置及其制备方法在审
| 申请号： | 201611056490.2 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106542498A | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 罗雷 | 申请（专利权）人： | 罗雷 |
| 主分类号： | C01B3/04 | 分类号： | C01B3/04 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所44242 | 代理人： | 冯筠 |
| 地址： | 528000 广东省佛山市三水*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米氧化铁纳米棒阵列和FTO基底形成的接触结构材料的高性能光解水装置。首先利用溅射方法在FTO基底上生长氧化铁纳米点薄膜；然后通过水热法方法诱导种子层生成氧化铁纳米棒阵列；最后通过磁控溅射法制备透光金属层电极薄膜。本发明利用氧化铁纳米棒阵列/FTO的放大效应制备的氧化铁纳米棒阵列/FTO光解水装置具有工艺简单，成本低廉，无需加热器，能在室温下工作，且具有耗能低，灵敏度高，响应、恢复时间短的特点，对光解水具有一定的效率，具有重要的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光解 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种光解水装置，其中，采用具有光解水性质的氧化铁/FTO材料，主体结构是氧化铁纳米棒阵列薄膜(3)和FTO基底(5)形成的接触结构；其中，FTO基底(5)上溅射方法在FTO基底上生长氧化铁纳米点薄膜(4)，氧化铁纳米棒阵列表面镀有透光金属层电极薄膜(2)；透光金属层电极薄膜(2)上制备铟点电极(1)，在FTO基底(5)上与氧化铁纳米点薄膜(4)相对的一侧表面上形成铟金属层(6)作为另一电极；连接正电极铟点电极(1)和负电极铟金属层(6)；电压为‑2伏特。
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