[发明专利]一种基于大面荧光吸收的板条放大自发辐射抑制金属化过渡层结构在审
申请号: | 201611049152.6 | 申请日: | 2016-11-25 |
公开(公告)号: | CN106340793A | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
发明(设计)人: | 陈小明;雷军;姜豪;曹礼强;周唐建;胡浩;李密;邬映臣;赵娜;许晓小;葛成良;高清松;唐淳;张凯 | 申请(专利权)人: | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
主分类号: | H01S3/00 | 分类号: | H01S3/00 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214 | 代理人: | 沈强 |
地址: | 621000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种基于大面荧光吸收的板条放大自发辐射抑制金属化过渡层结构,该方案包括有从下到上依次设置的板条、倏逝膜、锗层、铂层和金层;倏逝膜镀在板条上;锗层镀在倏逝膜上;铂层镀在锗层上;金层镀在铂层上。该方案采用金属化过渡层抑制板条自发辐射,既能够方便板条可靠焊接,同时能够将板条内部大部分小于全反角的自发辐射荧光吸收,抑制板条内部放大自发辐射。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 大面 荧光 吸收 板条 放大 自发辐射 抑制 金属化 过渡 结构 | ||
【主权项】:
一种基于大面荧光吸收的板条放大自发辐射抑制金属化过渡层结构,其特征是:包括有从下到上依次设置的板条、倏逝膜、锗层、铂层和金层;所述倏逝膜镀在板条上;所述锗层镀在倏逝膜上;所述铂层镀在锗层上;所述金层镀在铂层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院应用电子学研究所,未经中国工程物理研究院应用电子学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611049152.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。