[发明专利]基于碳化硅MOSFET和JFET的混合高压器件有效
申请号: | 201611029350.6 | 申请日: | 2016-11-14 |
公开(公告)号: | CN106712749B | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 韩焕菊;李先允;倪喜军 | 申请(专利权)人: | 南京工程学院 |
主分类号: | H03K17/10 | 分类号: | H03K17/10;H03K17/567 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 211167 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于碳化硅MOSFET和JFET的混合高压器件,包括MOSFET、N个JFET、N个JFET驱动电路、混合高压器件的源极、混合高压器件的栅极以及混合高压器件的漏极。本发明电路功率部分通过碳化硅器件串联,并通过稳压管、二极管、电阻、电容等元件实现JFET驱动,最终的混合型高压器件可实现至少6kV的高耐压,相对其他高压器件,本高压器件成本低,可实现高频率、高效率和高功率密度,适用中高压电力电子变换器应用领域。 | ||
搜索关键词: | 基于 碳化硅 mosfet jfet 混合 高压 器件 | ||
【主权项】:
基于碳化硅MOSFET和JFET的混合高压器件,其特征在于:包括MOSFET、N个JFET、N个JFET驱动电路、混合高压器件的源极、混合高压器件的栅极以及混合高压器件的漏极;MOSFET的源极与混合高压器件的源极连接,MOSFET的栅极与混合高压器件的栅极连接,N个JFET依次串联,第i个JFET的漏极与其相邻的第i+1个JFET的源极连接,i为整数,0<i<N,第1个JFET的源极与MOSFET的漏极连接,第N个JFET的漏极与混合高压器件的漏极连接;N个JFET驱动电路依次串联,第i个JFET驱动电路的输出端与其相邻的第i+1个JFET驱动电路的输入端连接,第1个JFET驱动电路的输入端与混合高压器件的栅极连接,N个JFET驱动电路的输出端分别与N个JFET的栅极连接。
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