[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201610984852.8 | 申请日： | 2016-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN107017216B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 托尼·坎姆普里思;莱奥·范海默特;汉斯·范赖克福塞尔;萨沙·默勒;哈特莫特·布宁;斯特芬·霍兰;黄仪光 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 麦善勇;张天舒 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。该装置包括半导体衬底，该半导体衬底具有主表面、背面以及在该主表面和该背面之间延伸的侧表面。该半导体装置还包括穿过该衬底的该背面延伸的至少一个金属层。该至少一个金属层的外围部分朝向包含该主表面的平面延伸，该至少一个金属层的该外围部分位于该背面和该侧表面中的至少一个侧表面之间的该衬底的边缘处。这可以防止位于该至少一个金属层的该外围部分的毛刺干扰该衬底的该背面安装在载体的表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有主表面、背面以及在所述主表面和所述背面之间延伸的侧表面；以及至少一个金属层，所述至少一个金属层穿过所述衬底的所述背面延伸，其中位于所述背面和所述侧表面中的至少一个侧表面之间的所述衬底的边缘处的所述至少一个金属层的外围部分朝向包含所述主表面的平面延伸，以防止位于所述至少一个金属层的所述外围部分的毛刺干扰所述衬底的所述背面安装在载体的表面上。
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