[发明专利]层叠穿通式复合光电探测器

摘要

一种层叠穿通式复合光电探测器，所述层叠穿通式复合光电探测器由载体板、雪崩探测器芯片、定位板、衬板和多象限探测器芯片组成；本发明的有益技术效果是：提供了一种层叠穿通式复合光电探测器，相比于现有技术，本发明可以在更小体积、更低成本的条件下将两种探测器整合在一起。

主权项

1.一种层叠穿通式复合光电探测器，其特征在于：所述层叠穿通式复合光电探测器由载体板(1)、雪崩探测器芯片(2)、定位板(3)、衬板(4)和多象限探测器芯片(5)组成；所述载体板(1)的上端面为矩形，载体板(1)上端面的面积远大于雪崩探测器芯片(2)的周向轮廓的面积，载体板(1)上端面上设置有金属层(1‑1)、P电极层(1‑2)和N电极层(1‑3)；所述金属层(1‑1)的周向轮廓与雪崩探测器芯片(2)的周向轮廓匹配，金属层(1‑1)位于载体板(1)上端面的中部，雪崩探测器芯片(2)设置在金属层(1‑1)的表面，雪崩探测器芯片(2)下端面上的电极层与金属层(1‑1)连接；所述P电极层(1‑2)的形状为反L形，反L形的竖向段的上端与金属层(1‑1)连接，反L形的横向段位于载体板(1)上端面的下侧边沿；所述N电极层(1‑3)的形状为L形，L形的竖向段的上端位于金属层(1‑1)的右侧，L形的横向段位于载体板(1)上端面的下侧边沿，P电极层(1‑2)和N电极层(1‑3)呈倒T形分布，N电极层(1‑3)和金属层(1‑1)之间留有间隔，N电极层(1‑3)和雪崩探测器芯片(2)上端的电极之间通过外接引线连接，N电极层(1‑3)和P电极层(1‑2)之间留有间隔；所述定位板(3)的外轮廓与载体板(1)的外轮廓匹配，定位板(3)的下侧设置有倒T形缺口，定位板(3)设置在载体板(1)的上端面上，金属层(1‑1)、P电极层(1‑2)和N电极层(1‑3)均位于缺口内；所述衬板(4)的外轮廓与载体板(1)的外轮廓相同，衬板(4)设置在定位板(3)的上端面上，衬板(4)与载体板(1)对正设置；衬板(4)中部设置有第一通孔，第一通孔的位置与雪崩探测器芯片(2)相对，第一通孔的面积大于雪崩探测器芯片(2)的周向轮廓的面积；所述多象限探测器芯片(5)设置在衬板(4)的上端面上；多象限探测器芯片(5)端面中心的象限盲区设置有第二通孔，第二通孔的位置与雪崩探测器芯片(2)相对，第二通孔的面积大于雪崩探测器芯片(2)的周向轮廓的面积。