[发明专利]一种多脑区场电位记录电极及植入方法在审
申请号: | 201610975793.8 | 申请日: | 2016-11-07 |
公开(公告)号: | CN106562786A | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | 钟成;鲁艺;王璐璐;王立平 | 申请(专利权)人: | 深圳先进技术研究院 |
主分类号: | A61B5/0478 | 分类号: | A61B5/0478;A61B5/00;A61N5/06 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司44202 | 代理人: | 郝传鑫,熊永强 |
地址: | 518055 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明实施例公开了一种多脑区场电位记录电极,包括多个单脑区电极以及单脑区电极持针器,所述单脑区电极,用于植入到目标脑区中;单脑区电极持针器,用于夹持所述单脑区电极,在立体定位仪的引导下分别移动所述多个单脑区电极,并将所述多个单脑区电极植入到多个目标脑区中。本发明实施例还公开了这种多脑区场电位记录电极的植入方法,采用本发明可以在只记录多脑区局部场电位的情况下,简化多脑区场电位记录的电极样式及对应的电极植入方法,降低植入的电极负重。 | ||
搜索关键词: | 一种 多脑区场 电位 记录 电极 植入 方法 | ||
【主权项】:
一种多脑区场电位记录电极,包括多个单脑区电极,其特征在于:所述单脑区电极,用于植入到目标脑区中;单脑区电极持针器,用于夹持所述单脑区电极,在立体定位仪的引导下分别移动所述多个单脑区电极,并将所述多个单脑区电极植入到多个目标脑区中。
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