[发明专利]高带外抑制的多层基片集成波导滤波器

摘要

本发明为高带外抑制的多层基片集成波导滤波器，解决已有基片集成波导尺寸较大，带外抑制水平不高，损耗仍较大的问题。包括从上到下依次层叠的第一金属层（1）、第一介质层（2）、第二金属层（3）、第二介质层（4）、第三金属层（5），第一、第二、第三金属层（1、3、5）所用的材料可以是铜或金或银或锡或是上述两种金属构成的复合层，即基层金属上镀另一种金属层，第一、第二介质层（2、3）可以是普通的高频电路基片，也可以是LTCC烧结成的基片或者是半导体基片，本发明可以用于收发前端滤除干扰信号，其优点是带外抑制好，损耗小，尺寸小。

主权项

高带外抑制的多层基片集成波导滤波器，其特征在于，包括从上到下依次层叠的第一金属层（1）、第一介质层（2）、第二金属层（3）、第二介质层（4）、第三金属层（5），第一、第二、第三金属层（1、3、5）所用的材料是铜或金或银或锡或是上述两种金属构成的复合层，第一、第二介质层（2）、（4）为普通的高频电路基片或LTCC烧结成的基片或半导体基片；第一金属层（1）包含圆形的第一谐振腔表层（11），及与其相连的长方形的第一输入输出馈线（13），第一输入输出馈线（13）两侧各有一长方形的第一耦合槽（12），第一耦合槽（12）在第一谐振腔表层（11）腐蚀出来，位于第一输入输出馈线（13）与第一谐振腔表层（11）的连接处；第一介质层（2）为长方形，第一金属化通孔阵列（23）贯穿第一介质层（2），围成圆形，并在第一输入输出馈线（13）的下方开口形成第一耦合窗（21），第一微扰通孔（22）是该圆形直径上的两个通孔，并且到圆心的距离相等，其所在直径与第一输入输出馈线（13）的夹角是45度；第三金属层（3）为长方形，在其中心位置腐蚀出长方形的耦合孔（31），耦合孔（31）与两个第一微扰通孔（22）的连线是平行的；第二介质层（4）为长方形，第二金属化通孔阵列（43）贯穿第二介质层（4），围成圆形，并在第二输入输出馈线（53）的上方开口形成第二耦合窗（41），第二微扰通孔（42）是该圆形直径上的两个通孔，并且到圆心的距离相等，其所在直径与第一微扰通孔（22）所在的直径是平行的；第三金属层（5）包含圆形的第二谐振腔表层（51），及与之相连的长方形的第二输入输出馈线（53），第二谐振腔表层（51）与第一谐振腔表层（11）的半径相同，第二输入输出馈线（53）与第一输入输出馈线（13）是平行的，第二输入输出馈线（53）两侧各有一长方形的第二耦合槽（52），第二耦合槽（52）是在第二谐振腔表层（51）腐蚀出来的，位于第二输入输出馈线（53）与第二谐振腔表层（51）的连接处，上述所有圆的圆心和长方形的耦合孔（31）的中心在同一垂线上，第一、二金属化通孔阵列（23、43）围成的圆形的直径小于第一、二谐振腔表层的直径。