[发明专利]具备缓加电功能的光模块

摘要

本发明公开了一种具备缓加电功能的光模块，包括光模块，所述光模块上设置有缓加电模块；所述缓加电模块由尖峰电流泄放单元、瞬时电压抑制单元、隔离单元和加电时序控制单元组成；本发明的有益技术效果是提供了一种具备缓加电功能的光模块。

主权项

一种具备缓加电功能的光模块，包括光模块，其特征在于：所述光模块上设置有缓加电模块；所述缓加电模块由尖峰电流泄放单元（1）、瞬时电压抑制单元（2）、隔离单元（3）和加电时序控制单元（4）组成；所述尖峰电流泄放单元（1）由第一N沟道MOS管（Q2）、第二N沟道MOS管（Q3）和第一P沟道MOS管（Q1）组成；所述瞬时电压抑制单元（2）由第一电阻（R1）和第一电容（C1）组成；所述隔离单元（3）由第二P沟道MOS管（Q4）和第二电阻（R2）组成；所述加电时序控制单元（4）由三个加电单元组成，三个加电单元的电气结构相同，单个加电单元由第二电容（C2）、第三电容（C3）和磁珠（L）组成；三个加电单元分别对应光模块的MCU模块、光发送电路和光接收电路；所述第三电容（C3）采用极性电容，所述第一电容（C1）和第二电容（C2）采用无极性电容；第一P沟道MOS管（Q1）的源极与节点C（C）连接，节点C（C）与电源（VCC）连接，第一P沟道MOS管（Q1）的栅极连接至节点A，第一P沟道MOS管（Q1）的漏极连接至节点B，节点B与第二N沟道MOS管（Q3）的栅极连接；第二N沟道MOS管（Q3）的漏极与电源（VCC）连接，第二N沟道MOS管（Q3）的源极接地；第一N沟道MOS管（Q2）的漏极与节点B（B）连接，第一N沟道MOS管（Q2）的栅极连接至节点A（A），第一N沟道MOS管（Q2）的源极接地；第一电阻（R1）的一端与节点D连接，节点D与节点C连接，第一电阻（R1）的另一端与节点A连接；第一电容（C1）的一端与节点A连接，第一电容（C1）的另一端接地；第二P沟道MOS管（Q4）的源极与节点D连接，第二P沟道MOS管（Q4）的栅极与第二电阻（R2）的一端连接，第二P沟道MOS管（Q4）的漏极与节点E连接，第二电阻（R2）的另一端接地；在单个加电单元中，第二电容（C2）的一端与节点F连接，第二电容（C2）的另一端接地，磁珠（L）的一端与节点F连接，磁珠（L）的另一端与节点G连接，第三电容（C3）的正极与节点G连接，第三电容（C3）的负极接地，节点G形成加电单元的输出端；三个加电单元中的节点F均连接至节点E。