[发明专利]一种锁相环中的单粒子辐射加固电荷泵电路

摘要

本发明请求保护一种锁相环中的单粒子辐射加固电荷泵电路，包括基本电荷泵电路，其还包括辐射加固电路以及偏置电路，所述基本电荷泵电路的信号输出端电连接所述辐射加固电路的信号输入端，所述辐射加固电路的信号输出端电连接所述基本电荷泵电路的单粒子辐射敏感结点端，所述偏置电路的输出端电连接所述辐射加固电路的电压输入端；所述辐射加固电路用于对基本电荷泵电路的相应结点受到高能单粒子轰击时产生补偿电流以补偿单粒子瞬态脉冲电流；所述偏置电路用于为所述辐射加固电路提供偏置，使得所述辐射加固电路中的辐射补偿电流管在基本电荷泵电路的相应结点未受到单粒子瞬态轰击时不工作。本电路提高锁相环的抗单粒子辐射能力。

主权项

1.一种锁相环中的单粒子辐射加固电荷泵电路，包括基本电荷泵电路(1)，其特征在于，还包括辐射加固电路(2)以及偏置电路(3)，所述基本电荷泵电路(1)的信号输出端电连接所述辐射加固电路(2)的信号输入端，所述辐射加固电路(2)的信号输出端电连接所述基本电荷泵电路(1)的单粒子辐射敏感结点端，所述偏置电路(3)的输出端电连接所述辐射加固电路(2)的电压输入端；当基本电荷泵电路(1)中结点A‑结点E之一受到高能单粒子轰击产生单粒子瞬态脉冲电流时，辐射加固电路(2)中对应的辐射补偿电流管工作并产生补偿电流以补偿对应结点A‑结点E的单粒子瞬态脉冲电流；结点A对应辐射补偿电流管MC1、结点B对应辐射补偿电流管MC2、结点C对应辐射补偿电流管MC3及MC8、结点D对应辐射补偿电流管MC7、结点E对应辐射补偿电流管MC6，所述偏置电路(3)用于为所述辐射加固电路(2)提供偏置，使得所述辐射加固电路(2)中的辐射补偿电流管在基本电荷泵电路(1)的相应结点未受到单粒子瞬态轰击时不工作；所述辐射加固电路(2)包括：PMOS管MC1、PMOS管MC2、PMOS管MC3、NMOS管MC4、NMOS管MC5、NMOS管MC6、NMOS管MC7、NMOS管MC8、PMOS管MC9、PMOS管MC10、电阻R1以及误差放大器A2，在所述辐射加固电路(2)中PMOS管MC1的漏极分别与PMOS管MC2的漏极、PMOS管MC3的漏极、NMOS管MC4的漏极、NMOS管MC4的栅极以及NMOS管MC5的栅极相连，NMOS管MC4的源极与NMOS管MC5的源极以及外部地线GND相连，PMOS管MC9的源极与PMOS管MC10的源极以及外部电源VDD相连，PMOS管MC9的漏极与电阻R1的另一端、误差放大器A2的同向输入端、输出端Vctrl以及NMOS管MC5的漏极相连，PMOS管MC10的栅极与PMOS管MC9的栅极、PMOS管MC10的漏极、NMOS管MC8的漏极、NMOS管MC7的漏极以及NMOS管MC6的漏极相连，NMOS管MC8的栅极分别与PMOS管MC3的栅极、误差放大器A2的反向输入端、误差放大器A2的输出端、PMOS管M12的漏极以及NMOS管M11的漏极相连。