[发明专利]一种有序超大孔间距氧化铝膜的制备方法有效
申请号: | 201610909822.0 | 申请日: | 2016-10-19 |
公开(公告)号: | CN106544712B | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 李娟;马英俊;文一豪;孙润广 | 申请(专利权)人: | 陕西师范大学 |
主分类号: | C25D11/10 | 分类号: | C25D11/10;C25D11/12;C25D11/08 |
代理公司: | 西安智萃知识产权代理有限公司 61221 | 代理人: | 张蓓 |
地址: | 710119 陕西省西安市长*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种有序超大孔间距氧化铝膜及其制备方法。本发明的氧化铝膜具有高的硬度和弹性模量,同时具有低反射率和明显的光致发光性能,膜表面由无数的孔组成,孔底部呈有序的六方排列。本发明采用较大分子的有机酸为电解液,使电解液和铝基底同时有效的散热,实现了超高电压下铝基底的稳定氧化。本发明的氧化铝膜可成为制备各种有序金属、聚合物等大周期纳米阵列结构的理想模板,也可以用于开发具有微纳复合结构的三维孔道氧化铝膜,大周期氧化铝膜本身也是优良的生物活性物质载体,在生物传感器,药物输运平台和太阳能电池等方面具有广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 有序 超大 间距 氧化铝 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种有序超大孔间距氧化铝膜的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤一:制备抛光铝片:用纯度大于等于99.999%的高纯铝片为阳极,在体积比为1:4的高氯酸和无水乙醇的混合液中进行电化学抛光,抛光电压为20V,抛光温度0℃,抛光时间为10min,得到抛光的铝片;步骤二:制备氧化铝膜:用所述步骤一得到的抛光铝片为阳极,在柠檬酸电解液中进行阳极氧化,氧化电压560V,氧化温度为10℃,氧化时间为7h,形成带有铝基底的氧化铝膜;步骤三:形成有序凹坑的铝片:在5wt%的铬酸和9wt%的磷酸的混合液中浸泡除去步骤二所形成的氧化铝膜,浸泡的温度为70℃,浸泡时间12h,形成超大孔间距的有序凹坑的铝片;步骤四:制备有序超大孔间距氧化铝膜:将步骤三中得到的表面具有有序凹坑的铝片为阳极,在柠檬酸和乙醇的电解液中进行氧化,氧化电压600V,氧化温度为4℃,氧化时间为100min,形成有序超大孔间距氧化铝膜。
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