[发明专利]应用于惠更斯面的带修正因子的时空插值方法有效
| 申请号： | 201610907966.2 | 申请日： | 2016-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN106503327B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 杨晋生;王西蒙;陈为刚 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 12201 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明属于电磁场计算技术领域，为提出将惠更斯面用于FDTD吸收边界条件时，能得到更好的吸收效果，得到更小的电磁波反射系数的方法。本发明采用的技术方案是，应用于惠更斯面的带修正因子的时空插值方法，惠更斯面通过产生与入射波方向相反的场来抵消入射波的场，以达到吸收边界的效果，在最外层截断边界采用穆尔Mur一阶吸收边界进一步吸收残留波，电磁波的两个垂直x轴的分量E | ||
| 搜索关键词： | 应用于 惠更斯 修正 因子 时空 方法 | ||
【主权项】：
1.一种应用于惠更斯面的带修正因子的时空插值方法，其特征是，惠更斯面通过产生与入射波方向相反的场来抵消入射波的场，以达到吸收边界的效果，在最外层截断边界采用穆尔Mur一阶吸收边界进一步吸收残留波，电磁波的两个垂直x轴的分量E
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