[发明专利]一种介质嵌入的曲折金属带高频结构有效
申请号: | 201610906970.7 | 申请日: | 2016-10-18 |
公开(公告)号: | CN106340433B | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 丁冲;魏彦玉;李倩;张鲁奇;王文祥;岳玲娜;赵国庆 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01J23/24 | 分类号: | H01J23/24 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 温利平 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种介质嵌入的曲折金属带高频结构,通过将微带高频结构的介质基板替换为与曲折金属带具有相同变化周期的介质支撑杆,同时介质支撑杆部分嵌入曲折金属带,介质面向电子注的暴露面积大幅减小,且介质支撑杆部分嵌入到曲折金属带内,进一步减小了介质的暴露面积,从而降低了电子轰击到介质基底的几率,避免电荷累积效应的产生。同时,为使介质支撑杆能够嵌入曲折金属带,需采用比印制在介质基板上的曲折金属带相对更厚的金属带,由于厚度的增加,使得曲折金属带更能承受电子轰击,提高了结构的稳定性,具有更好的导热性。此外,与现有的由介质基板与曲折金属带组成的平面微带高频结构相比,本发明还具有更宽的冷带宽和更高的耦合阻抗。 | ||
搜索关键词: | 金属带 曲折 介质支撑杆 高频结构 介质基板 嵌入 电子轰击 嵌入的 减小 微带 导热性 电荷累积效应 变化周期 耦合阻抗 暴露 基底 带宽 替换 印制 | ||
【主权项】:
1.一种介质嵌入的曲折金属带高频结构,包括:一矩形金属屏蔽壳,金属屏蔽壳内为真空;其特征在于,还包括:一介质支撑杆,由介质杆进行周期性的弯曲而形成,其弯曲下表面固定在金属屏蔽壳内底面上;一曲折金属带,由嵌套在介质支撑杆弯曲上表面的金属层构成;曲折金属带厚度t1 与介质支撑杆厚度t2 的比值即t1 /t2 在0.5和2之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610906970.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。