[发明专利]一种三维枝状硅负极电极材料及制备方法有效
| 申请号： | 201610904123.7 | 申请日： | 2016-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN106505190B | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 陈庆;陈兵;王镭迪;曾军堂 | 申请（专利权）人： | 惠州市德广隆能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M4/134;H01M4/1395;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 516000 广东省惠州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及硅负极电极材料技术领域，公开了一种三维枝状硅负极电极材料及制备方法，其中纳米化的硅微粒为一个个裂开口的微细颗粒，在锂离子进出过程中硅材料体积变化只发生在单个的纳米微粒内部，其体积变化由内部裂纹缓冲抵消。而整个由硅材料制备的电极片并不发生明显的体积膨胀。有效解决了硅材料作为锂电池负极材料，在锂脱嵌过程中发生的体积剧烈膨胀，其制备方法是将纳米硅微粒通过分散剂分散后，经液氮急冻，然后经微波快速加热，使纳米硅微粒发生炸裂，形成三维枝状裂纹的硅微粒。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 枝状硅 负极 电极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维枝状硅负极电极材料的制备方法，其特征在于：其具体步骤如下：①将纳米化的硅微粒浸泡在足量插层剂中浸泡48小时，使硅微粒活化，取出硅微粒离心干燥，获得插层硅微粒；其中插层剂pH为7.7‑8；②将步骤①的插层硅微粒加入到熔融的过量氯化盐中分散;③将步骤②获得的熔融混合物，经液氮急冻，获得低温混合物；④将步骤③获得的低温混合物经微波快速加热，使纳米硅微粒发生炸裂，然后清洗过滤，获得产物即三维枝状裂纹的硅微粒。
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