[发明专利]晶硅柔性电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种晶硅柔性电池及其制备方法。该晶硅柔性电池包括封装膜和设于封装膜内的电池组件，电池组件由下至上依次由铝背电极层、单晶硅基底层、圆柱形硅阵列结构层、PN结层、SiNx钝化层和ITO薄膜层组成。制备方法包括(1)化学刻蚀：(2)扩散制PN结：(3)制备SiNx钝化层；(4)镀ITO薄膜层：(5)刻蚀硅背面；(6)镀铝背电极：(7)封装。本发明制备的晶硅柔性电池具有良好的陷光结构和大光吸收角，光生载流子吸收长度短，光吸收效率高，光电转化效率高，且弯折性能优异。

主权项

1.一种晶硅柔性电池，其特征在于，所述晶硅柔性电池包括封装膜和设于封装膜内的电池组件，所述电池组件由下至上依次由铝背电极层、单晶硅基底层、圆柱形硅阵列结构层、PN结层、SiNx钝化层和ITO薄膜层组成；所述圆柱形硅阵列结构层的阵列单元的直径为1μm～2μm，阵列单元的高为2μm～4μm，相邻阵列单元之间的中心间距为3μm～8μm；所述PN结层的结深为0.2μm～0.42μm；所述SiNx钝化层中，Si与N的原子比在0.743与1.014之间，所述SiNx钝化层的厚度为50nm～80nm；所述单晶硅基底层的厚度为20μm～100μm。