[发明专利]一种可消除SMEAR效应的带快门CCD像元结构有效
申请号: | 201610868122.1 | 申请日: | 2016-09-29 |
公开(公告)号: | CN106231213B | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 陈远金;张猛蛟;鞠莉娜;梁宛玉;吕江萍;刘海亮;刘彬;戴放;邹继鑫;白涛 | 申请(专利权)人: | 北方电子研究院安徽有限公司 |
主分类号: | H04N25/71 | 分类号: | H04N25/71;H04N25/72;H04N25/62;H04N25/625 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 耿英;董建林 |
地址: | 233040*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种可消除SMEAR效应的带快门CCD像元结构,包括高阻P型衬底和在高阻P型衬底正面形成的像元控制栅和光敏区电荷转移控制栅,像元控制栅加电压时在栅下形成耗尽区,在高阻P型衬底中设置一P型埋层;在光敏区电荷转移控制栅下设置N+注入区。本发明,在CCD像元结构上进行改进,在传统的像元收集区前方增加阻断层,经过改造后,通过对像元的偏压进行控制,从而实现对光敏区的压缩和阻断,使得在像元上就可以实现光电阻断,实现快门的功能,同时本设计在像元级别,且通过电控制方式,改变像元控制偏压的速度极快,具备非常高的开关速度。 | ||
搜索关键词: | 一种 消除 smear 效应 快门 ccd 结构 | ||
【主权项】:
一种可消除SMEAR效应的带快门CCD像元结构,包括高阻P型衬底和在高阻P型衬底正面形成的像元控制栅和光敏区电荷转移控制栅,像元控制栅加电压时在栅下形成耗尽区,其特征是,在高阻P型衬底中设置一P型埋层;在光敏区电荷转移控制栅下设置N+注入区。
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