[发明专利]一种掺氧SbSe纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201610854921.3 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN106340585A | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 孙月梅;胡益丰;邹华;朱小芹;眭永兴;袁丽;张建豪;薛建忠;郑龙;吴世臣;张丹 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)32231 | 代理人： | 翁斌 |
| 地址： | 213001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米材料技术领域，涉及一种掺氧SbSe纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的掺氧SbSe纳米相变薄膜材料的化学通式为Sb70Se30Ox，其中x代表氧气流量值，单位为sccm，并且x＝1、2或3，通过在射频溅射沉积Sb70Se30薄膜的过程中同时通入氩气和氧气，并在纳米量级制备而成。与传统的Ge2Sb2Te5相变薄膜材料相比，本发明的掺氧SbSe纳米相变薄膜材料具有较快的晶化速度、较高的晶化温度和激活能、更高的非晶态和晶态电阻，并且不含碲元素，对人体和环境不会产生负面影响，适合于制备高速、高稳定性、低功耗的相变存储器，极具工业化应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sbse 纳米 相变 薄膜 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种掺氧Sb70Se30纳米相变薄膜材料的制备方法，所述掺氧Sb70Se30纳米相变薄膜材料通过磁控溅射法制备，通过在射频溅射沉积Sb70Se30薄膜的过程中同时通入氩气和氧气，并在纳米量级制备而成；所述氩气和所述氧气的气体总流量为30sccm，其中所述氧气的气体流量为1～3sccm，所述氩气的气体流量为27～29sccm。
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