[发明专利]晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD沉积工艺

摘要

本发明公开了一种晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD沉积工艺，包括以下步骤：（1）将反应腔体抽真空至0.3mbar以下，然后加热反应腔体；（2）将工艺气体通入反应腔体内，并将至少一对微波发生器产生的微波导入反应腔体，工艺气体吸收微波能量后产生等离子体，等离子体被反应腔体内部的磁场加速后形成等离子体场；（3）将晶硅片以设定传送速率经过反应腔体的等离子体场区，等离子体打在晶硅片表面，发生化学反应生成氧化铝钝化膜。该工艺具有可制备均匀和高质量的氧化铝钝化膜，从而提高晶硅片表面的钝化效果，提高太阳电池的少子寿命等优点。

主权项

1.一种晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD沉积工艺，由以下步骤组成：(1)将反应腔体抽真空至0.3mbar以下，然后加热反应腔体；(2)将保护气体和工艺气体通入反应腔体内，并将至少一对微波发生器产生的微波导入反应腔体，工艺气体吸收微波能量后产生等离子体，等离子体被反应腔体内部的磁场加速后形成等离子体场；每对微波发生器中，左微波发生器的峰值功率为1500W～2500W，一个脉冲周期中，脉冲打开时间为4ms～8ms，脉冲关闭时间为15ms～20ms，频率为40Hz～50Hz，平均功率为400W～800W；右微波发生器的峰值功率为1500W～2500W，脉冲打开时间为4ms～8ms，脉冲关闭时间为15ms～20ms，频率为40Hz～50Hz，平均功率为400W～800W；(3)将晶硅片以设定传送速率经过反应腔体的等离子体场区，等离子体打在晶硅片，并发生化学反应生成氧化铝钝化膜。