[发明专利]防止存储单元数据遗失的方法在审
| 申请号： | 201610852334.0 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN114464222A | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 林光辉 | 申请（专利权）人： | 禾瑞亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/24 | 分类号： | G11C7/24;G11C16/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 中国台湾台北市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明为有关一种防止存储单元数据遗失的方法，该存储单元的晶体管于半导体基底上成型源极、漏极与通道，且通道上成型隧穿氧化层、浮置栅极、隧穿氧化层及控制栅极，而先对浮置栅极进行清除作业，并使用微弱电场，将少许电子注入浮置栅极内部，供浮置栅极内部保持少许电子，并导通源极与漏极间的通道，且浮置栅极内部少许电子与二侧隧穿氧化层内部电子形成相互排斥，避免电子累积在二侧隧穿氧化层内，可正常读取浮置栅极内部数据，利用正常写入电场对浮置栅极注入正常电子，阻止源极与漏极间的通道导通，则可将数据写入浮置栅极内。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 存储 单元 数据 遗失 方法 | ||
【主权项】：
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- 林光辉 - 禾瑞亚科技股份有限公司
- 2016-09-27 - 2022-05-10 - G11C7/24
- 本发明为有关一种防止存储单元数据遗失的方法，该存储单元的晶体管于半导体基底上成型源极、漏极与通道，且通道上成型隧穿氧化层、浮置栅极、隧穿氧化层及控制栅极，而先对浮置栅极进行清除作业，并使用微弱电场，将少许电子注入浮置栅极内部，供浮置栅极内部保持少许电子，并导通源极与漏极间的通道，且浮置栅极内部少许电子与二侧隧穿氧化层内部电子形成相互排斥，避免电子累积在二侧隧穿氧化层内，可正常读取浮置栅极内部数据，利用正常写入电场对浮置栅极注入正常电子，阻止源极与漏极间的通道导通，则可将数据写入浮置栅极内。
- 专利分类
- 数据显示系统、数据中继设备、数据中继方法、数据系统、接收设备和数据读取方法
- 数据记录方法、数据记录装置、数据记录媒体、数据重播方法和数据重播装置
- 数据发送方法、数据发送系统、数据发送装置以及数据结构
- 数据显示系统、数据中继设备、数据中继方法及数据系统
- 数据嵌入装置、数据嵌入方法、数据提取装置及数据提取方法
- 数据管理装置、数据编辑装置、数据阅览装置、数据管理方法、数据编辑方法以及数据阅览方法
- 数据发送和数据接收设备、数据发送和数据接收方法
- 数据发送装置、数据接收装置、数据收发系统、数据发送方法、数据接收方法和数据收发方法
- 数据发送方法、数据再现方法、数据发送装置及数据再现装置
- 数据发送方法、数据再现方法、数据发送装置及数据再现装置
