[发明专利]一种用于多晶炉铸锭的长晶工艺在审
| 申请号： | 201610845015.7 | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN106435728A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 金国俊;路景刚 | 申请（专利权）人： | 江苏美科硅能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙)31258 | 代理人： | 陈丽君 |
| 地址： | 212200 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及种一种用于多晶炉铸锭的长晶工艺，其工艺过程如下：（1）将若干具有熔融硅液的多晶铸锭坩埚按温度控制模式运行一炉次，温度控制模式包括九个多晶硅生长阶段，并记录各阶段长晶速度；（2）选取步骤（1）中长晶速度达到设定速度的一炉坩埚运行数据，推算运行功率参数值，根据功率参数值设置功率控制模式运行数据，(3)调整运行功率参数值，取具有熔融硅液的多晶铸锭坩埚按功率控制模式运行即可；本发明科将长晶耗时偏差由原来2h降低至0.5h，长晶速率更稳定，避免出现长晶过快或过慢的现象，同时提高硅锭质量，降低异常率，搞高硅锭良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 多晶 铸锭 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于多晶炉铸锭的长晶工艺，其特征为，其工艺过程如下：（1）将若干具有熔融硅液的多晶铸锭坩埚按温度控制模式运行一炉次，所述温度控制模式包括九个多晶硅生长阶段，第一生长阶段时间为0.5~1h，温度设定值为1434~1440℃，第二生长阶段时间为1~2.5h，温度设定值为1433~1438℃，第三生长阶段时间为2~3h，温度设定值为1432~1437℃，第四生长阶段时间为4~6h，温度设定值为1430~1435℃，第五生长阶段时间为4~6h，温度设定值为1430~1435℃，第六生长阶段时间为4~6h，温度设定值为1425~1432℃，第七生长阶段时间为4~6h，温度设定值为1415~1422℃，第八生长阶段时间为8~12h，温度设定值为1410~1415℃，第九生长阶段时间为2~3h，温度设定值为1400~1410℃，并记录各阶段长晶速度；（2）选取步骤（1）中长晶速度达到设定速度的一炉坩埚运行数据，推算运行功率参数值，根据功率参数值设置功率控制模式运行数据，并取具有熔融硅液的多晶铸锭坩埚运行一炉次；（3）根据步骤（2）中多晶铸锭坩埚内的长晶速度与设定速度偏差，调整运行功率参数值，得适宜功率控制模式运行数据，取具有熔融硅液的多晶铸锭坩埚按功率控制模式运行即可。
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