[发明专利]锁存电路以及半导体存储器装置有效
申请号: | 201610829697.2 | 申请日: | 2016-09-19 |
公开(公告)号: | CN107045885B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 中山晶智 | 申请(专利权)人: | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06;G11C16/26 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王珊珊 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 锁存电路以及半导体存储器装置。该锁存电路包括:输入电路,包含使与感测电压相应的信号电流流入的输入用PMOS晶体管;第1反相器,包含第1PMOS晶体管、第1NMOS晶体管以及第1节点,所述第1节点将第1PMOS晶体管与第1NMOS晶体管予以连接且连接于输入电路;以及第2反相器,包含第2PMOS晶体管、第2NMOS晶体管以及第2节点,所述第2节点将第2PMOS晶体管与第2NMOS晶体管予以连接且第1反相器与第2反相器是级联连接而构成。 | ||
搜索关键词: | 电路 以及 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】:
一种锁存电路,包括:输入电路,包含输入用P沟道金属氧化物半导体晶体管,所述输入用P沟道金属氧化物半导体晶体管使与来自感测放大器的感测电压相应的信号电流流入;第1反相器,包含第1P沟道金属氧化物半导体晶体管、第1N沟道金属氧化物半导体晶体管以及第1节点,所述第1节点将所述第1P沟道金属氧化物半导体晶体管与所述第1N沟道金属氧化物半导体晶体管予以连接,且所述第1节点连接于所述输入电路;以及第2反相器,包含第2P沟道金属氧化物半导体晶体管、第2N沟道金属氧化物半导体晶体管以及第2节点,所述第2节点将所述第2P沟道金属氧化物半导体晶体管与所述第2N沟道金属氧化物半导体晶体管予以连接,且所述第1反相器与所述第2反相器是级联连接而构成,所述第1反相器包含第3N沟道金属氧化物半导体晶体管及第4N沟道金属氧化物半导体晶体管,所述第3N沟道金属氧化物半导体晶体管及第4N沟道金属氧化物半导体晶体管连接于所述第1N沟道金属氧化物半导体晶体管且彼此并联连接,在数据的锁存时,所述第3N沟道金属氧化物半导体晶体管使与偏电压对应的基准电流流至所述第1反相器,所述第4N沟道金属氧化物半导体晶体管在数据的锁存时断开,在数据的保持时导通,藉此所述锁存电路对与所述感测电压对应的数据进行锁存。
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