[发明专利]基于TDDB效应的集成电路寿命检测方法和系统在审
| 申请号： | 201610825103.0 | 申请日： | 2016-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN106291331A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 谢小东;李新瑞;李平 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙)51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 基于TDDB效应的集成电路寿命检测方法和系统,涉及集成电路技术。本发明的检测系统，包括下述部分：测试电压输出单元，用于向芯片的栅氧化层施加测试电压；漏电流放大单元，用于检测芯片栅氧化层的漏电流；与漏电流放大单元连接的服务器，存储有电压‑漏电流‑时间对照表。相较于现有技术，本发明没有参考寿命传感器，消除了工艺差异的影响，寿命传感电路参数值只与其自身初始值进行比较，影响参数变化的因素只来自使用寿命，因此寿命计算具有更高的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 tddb 效应 集成电路 寿命 检测 方法 系统 | ||
【主权项】：
基于TDDB效应的集成电路寿命检测方法，其特征在于，包括下述步骤：1)对目标芯片内的栅氧化层施加测试电压，检测栅氧化层的漏电流的电流值；2)若栅氧化层未被击穿，则升高测试电压，若栅氧化层被击穿，则降低测试电压，直至得到最大安全工作电压的电压值和在此电压下的漏电流的电流值；3)依据最大安全工作电压的电压值和对应的漏电流的电流值，在预存的电压‑漏电流‑时间对照表中查找和确定栅氧化层的已用时间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610825103.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种透平机滑动轴承
- 下一篇：水泥生产线上带有降温防漏油系统的轴承座
