[发明专利]一种AgNWs薄膜、量子点发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开一种AgNWs薄膜、量子点发光二极管及其制备方法，方法包括步骤：先将体积比为150:1~20:1的十二烷基硫酸钠水溶液与十二烷基二甲基氧化胺水溶液混合，再加入48~52mg/mLAgNWs水溶液混合，振动搅拌，形成含有大小不一的气泡的混合液；接着将上述混合液涂覆在基板上，自然晾干后退火，得到AgNWs薄膜。本发明通过对AgNWs水溶液大力摇晃，形成大小不一的大量气泡，此气泡可以作为AgNWs生长的依附体，AgNWs容易在气泡边缘生长，并自组装。然后对其风干，退火后得到具有良好导电性和透光性的AgNWs薄膜。本发明方法简单，成本便宜，易于加工生产，是一种替代ITO透明电极的方法。

主权项

一种AgNWs薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：首先将体积比为150:1~20:1的十二烷基硫酸钠水溶液与十二烷基二甲基氧化胺水溶液混合，再加入48~52mg/mLAgNWs水溶液混合，振动搅拌，形成含有大小不一的气泡的混合液；接着将上述混合液涂覆在基板上，自然晾干后退火，得到AgNWs薄膜。