[发明专利]一种大面积传感器阵列的制备方法

摘要

本发明公开一种大面积传感器阵列制备方法，具体过程为对光电传感器晶圆阵列进行多次扩晶‑翻晶‑扩晶操作，扩大相邻晶圆的间距，直至扩晶得到的光电传感器晶圆阵列排列规格能够与需要匹配的电路转接基板上的电极接触点的位置和间隔相当；将多次扩晶‑翻晶‑扩晶后的光电传感器晶圆阵列与电路转接基板结合，再进行引线键合以完成光电传感器晶圆阵列与电路转接基板的电气和物理连接，继而进行阵列封装，在封装后的光电传感器晶圆阵列覆盖相应的透镜窗口阵列，从而得到大面积传感器阵列。本发明提出的用于光互连的大面积传感器晶圆阵列，在制备相同面积的传感器阵列时，相对于传统生产技术所需生产时间更短，效率更高，更适用于大批量产。

主权项

一种大面积传感器阵列制备方法，其特征在于，具体过程为：对光电传感器晶圆阵列进行多次扩晶一翻晶一扩晶操作，扩大相邻晶圆的间距，直至扩晶得到的光电传感器晶圆阵列排列规格能够与需要匹配的电路转接基板上的电极接触点的位置和间隔相当；将多次扩晶一翻晶一扩晶后的光电传感器晶圆阵列与电路转接基板结合，再进行引线键合以完成光电传感器晶圆阵列与电路转接基板的电气和物理连接，继而进行阵列封装，在封装后的光电传感器晶圆阵列覆盖相应的透镜窗口阵列，从而得到大面积传感器阵列；在无尘静电环境下，对最初附着在UV膜或者蓝膜上的光电传感器晶圆阵列做多次扩晶一翻晶一扩晶操作，具体在扩晶时先使用扩晶机对附有光电传感器晶圆阵列进行扩晶，扩晶完后用另一片新的UV膜与扩晶完毕的膜的晶圆一侧完整贴合，再使用紫外光对扩晶完毕的膜进行照射，直至扩晶完毕的UV膜对晶圆的茹度最低时撕除该膜，就此，扩晶完毕的光电传感器晶圆阵列就转移到了新的UV膜上，以便进行下次扩晶；如此反复进行该步骤，直至扩晶得到的光电传感器晶圆阵列排列规格能够与电路转接基板上的电极接触点的位置和间隔相当。