[发明专利]一种锗基砷化镓多结柔性薄膜太阳电池及其制备方法在审
申请号: | 201610731353.8 | 申请日: | 2016-08-26 |
公开(公告)号: | CN106098818A | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 吴洪清;米万里;张双翔;涂洁磊;徐培强;李俊承;何胜;韩效亚;周大勇;杨洪东 | 申请(专利权)人: | 扬州乾照光电有限公司 |
主分类号: | H01L31/0392 | 分类号: | H01L31/0392;H01L31/18;H01L31/0687;H01L31/0693;H01L31/0445 |
代理公司: | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人: | 江平 |
地址: | 225009 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种锗基砷化镓多结柔性薄膜太阳电池及其制备方法,涉及薄膜太阳电池的生产技术领域。本发明采用比较成熟的正装砷化镓太阳电池工艺制作,以柔性衬底替代原来的较厚、较重的刚性衬底,形成的锗基多结高效柔性太阳电池达到了可弯曲性、较为轻巧的目的,有利于提高太阳电池运用范围和重量比功率,缓减火箭发射与航天运载压力。同时,上、下电极采用同侧设计的方式方便了使用,可以直接焊接在所使用的器件上,或者粘附在既柔软又轻盈的透明PI上使用。 | ||
搜索关键词: | 一种 锗基砷化镓多结 柔性 薄膜 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种锗基砷化镓多结柔性薄膜太阳电池,包括柔性衬底,其特征在于:在柔性衬底的一侧通过键合层连接Ge基底层,在部分Ge基底层上设置下电极,在另一部分Ge基底层上设置外延层,在外延层上设置上电极和减反射膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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