[发明专利]一种连通型压阻阵列在审
申请号: | 201610712683.2 | 申请日: | 2016-08-16 |
公开(公告)号: | CN106248264A | 公开(公告)日: | 2016-12-21 |
发明(设计)人: | 王璐珩 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | G01L1/18 | 分类号: | G01L1/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410083 湖南省长沙市岳*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种连通型压阻阵列,属于传感器技术领域。该连通型压阻阵列包括底层封装薄膜、顶层封装薄膜、和位于二者之间的压阻敏感薄膜;底层封装薄膜由带有窗口的内侧绝缘薄膜和覆合有电极阵列的外侧绝缘薄膜构成;顶层封装薄膜的结构、尺寸和电极数目都与底层封装薄膜的相同;连通型压阻阵列的传感子单元总数与底层封装薄膜的电极数相同,每个传感子单元的两个输出信号端为底层封装薄膜的电极和与其正对的顶层封装薄膜的电极;连通型压阻阵列中所有传感子单元共用同一片压阻薄膜,作用于连通型压阻阵列上的任何一个区域的力,都会引起所有传感子单元输出信号的变化。采用本发明设计的连通型压阻阵列可消除测量盲区、扩展压阻阵列的测量区域。 | ||
搜索关键词: | 一种 连通 型压阻 阵列 | ||
【主权项】:
一种连通型压阻阵列,其特征在于,该连通型压阻阵列包括压阻敏感薄膜、底层封装薄膜和顶层封装薄膜;底层封装薄膜由带有窗口的内侧绝缘薄膜和覆合有电极阵列的外侧绝缘薄膜构成,顶层封装薄膜的结构、尺寸和电极数目都与底层封装薄膜的相同;连通型压阻阵列的传感子单元总数与底层封装薄膜的电极数相同,每个传感子单元的两个输出信号端为底层封装薄膜的电极和与其正对的顶层封装薄膜的电极;连通型压阻阵列中所有传感子单元共用同一片压阻敏感薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中南大学,未经中南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610712683.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。