[发明专利]柔性有机发光二极管显示装置及面板的制造方法有效

专利信息
申请号: 201610632182.3 申请日: 2016-08-04
公开(公告)号: CN106229293B 公开(公告)日: 2019-11-08
发明(设计)人: 刘彦龙;苏俊武;丁杰;李涛 申请(专利权)人: 西安穿越光电科技有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/32
代理公司: 北京艾皮专利代理有限公司 11777 代理人: 刘媛
地址: 710000 陕西省西安市雁塔区太白*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种柔性有机发光二极管显示装置及面板的制造方法。柔性有机发光二极管显示装置的制造方法包括:A、形成柔性有机发光二极管显示面板;B、将柔性有机发光二极管显示面板与驱动电路和电源连接;步骤A包括:a1、在柔性基板上设置第一凹洞阵列层和第二凹洞阵列层,第一凹洞阵列层和第二凹洞阵列层重叠;a2、在柔性基板上设置缓冲层,缓冲层的至少一部分填充第一凹洞和第二凹洞;a3、在缓冲层上设置开关器件层;a4、在开关器件层上设置显示器件层;a5、在显示器件层上设置盖板。本发明有效提高柔性有机发光二极管显示面板对弯曲操作或折叠操作的耐受性。
搜索关键词: 柔性 有机 发光二极管 显示装置 面板 制造 方法
【主权项】:
1.一种柔性有机发光二极管显示装置的制造方法,其特征在于,所述方法包括以下步 骤:A、形成柔性有机发光二极管显示面板;B、将所述柔性有机发光二极管显示面板与驱动电路和电源连接;其中,所述步骤A包括:a1、在柔性基板上设置第一凹洞阵列层和第二凹洞阵列层,其中,所述柔性基板包括显 示区域和外围区域,所述第一凹洞阵列层和所述第二凹洞阵列层重叠,所述第一凹洞阵列 层包括至少两第一凹洞,所述第二凹洞阵列层包括至少两第二凹洞,所述第一凹洞和所述 第二凹洞均位于所述显示区域处,所述第一凹洞具有第一深度,所述第二凹洞具有第二深 度,所述第一深度小于所述第二深度,所述第一凹洞在所述柔性基板所在的平面上的第一 投影与所述第二凹洞在所述柔性基板所在的平面上的第二投影部分重叠或全部重叠,所述 柔性基板为塑料基板;a2、在所述柔性基板上设置缓冲层,所述缓冲层位于所述显示区域处,所述缓冲层的至 少一部分填充所述第一凹洞和所述第二凹洞;a3、在所述缓冲层上设置开关器件层,所述开关器件层包括扫描线、数据线、薄膜晶体 管开关;a4、在所述开关器件层上设置显示器件层;a41、在所述开关器件层上设置平坦化层;a42、在所述平坦化层上设置阳极层;a43、在所述阳极层上设置空穴注入层;a44、在所述空穴注入层上设置空穴传输层;a45、在所述空穴传输层上设置发光材料层;a46、在所述发光材料层上设置电子传输层;a47、在所述电子传输层上设置电子注入层;a48、在所述电子注入层上设置阴极层;a5、在所述显示器件层上设置盖板,所述盖板在所述外围区域处与所述柔性基板相连;a6、在所述外围区域处设置密封胶构件,其中,所述密封胶构件在所述外围区域处与所述盖板和所述柔性基板接触,所述密封胶构件用于在所述外围区域处密封所述盖板与所述柔性基板之间的缝隙,所述密封胶构件中混合有结构巩固颗粒,所述结构巩固颗粒用于加强所述密封胶构件的结构强度;a7、在所述外围区域处设置固紧构件,其中,所述固紧构件用于在所述外围区域处将所述盖板和所述柔性基板相固定;在所述步骤a4之后,以及在所述步骤a5之前,所述步骤A还包括:a8、形成缓冲防护板,所述缓冲防护板包括柔性板体和球体;a9、在所述盖板与阴极层之间设置所述缓冲防护板;其中,所述步骤a8包括:a81、在所述柔性板体上设置容纳坑阵列,所述容纳坑阵列包括至少两容纳坑,容纳坑 具有开口部,所述开口部朝向所述盖板;a82,在所述容纳坑内设置所述球体,所述球体与所述容纳坑活动连接,所述球体 用于与所述盖板相接触,并用于在所述容纳坑内滑动,以及用于在所述柔性有机发光二极 管显示面板弯折时根据所述盖板的弯折情况对所述盖板进行活动支撑,以使所述盖板与所 述阴极层之间的间距保持在预定范围内;所述球体用于在所述柔性有机发光二极管显示面板弯折时在所述容纳坑内退 缩到预定位置,以在所述预定位置对所述盖板进行活动支撑,所述预定位置为有利于 所述盖板弯折的位置;所述容纳坑的深度小于所述球体的直径;所述缓冲防护板还包括至少两活动连接链组合,所述活动连接链组合包括至少四 活动连接链;a83、将所述活动连接链中的四所述活动连接链与所述球体和所述容纳坑连接;将所述活动连接链的一端与所述容纳坑的侧壁连接,以及将所述活动连接链的另一端 与所述球体连接;a84、所述缓冲防护板还包括结构补强构件阵列,在所述柔性板体背向所述容纳坑阵列的一面设置所述结构补强构件阵列,所述结构补强构件阵列包括至少两结构补强构件;所述结构补强构件的位置与所述容纳坑的位置对应;所述结构补强构件用于对所述柔性板体在所述容纳坑所对应的位置处进行结构补强;a85、在所述容纳坑的底部处设置通孔,所述通孔贯穿所述柔性板体;a86、在所述通孔的内壁设置金属环;a87、将所述活动连接链穿过所述金属环,并与所述结构补强构件连接;所述缓冲防护板还包括至少两连接杆,将所述连接杆与两所述结构补强构件连接,所述连接杆为柔性杆。
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  • 一种柔性面板的制作方法、柔性面板以及显示装置。该柔性面板的制作方法包括:在衬底基板上形成变形材料层;在变形材料层远离衬底基板的一侧形成柔性面板本体;驱动变形材料层以使其形状改变并与衬底基板至少局部分离,并且变形后的变形材料层的形状包括至少一个弯曲部;以及剥离衬底基板。由此,该柔性面板的制作方法可通过驱动变形材料层变形来大大降低柔性面板和变形材料层与衬底基板之间的结合力,从而可使衬底基板很容易剥离,从而得到柔性面板。另外还可避免剥离时力量太大而导致的柔性面板损伤,从而可提高柔性面板的良率。
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  • 张合静 - 北海惠科光电技术有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
  • 2019-06-10 - 2019-08-30 - H01L21/77
  • 本申请涉及一种TFT阵列基板制备方法,包括:在基底上形成栅极和覆盖栅极的绝缘层;在绝缘层上形成源极和漏极,源极与栅极的正投影不重叠,漏极与栅极的正投影不重叠;形成金属氧化物半导体,金属氧化物半导体覆盖源极和漏极之间的绝缘层并向两侧延伸至相邻的源极和漏极上;在金属氧化物半导体上形成光阻,光阻与栅极的正投影重叠,且栅极在金属氧化物半导体上的正投影的边界与光阻的正投影的边界重合;使金属氧化物半导体与酸性刻蚀剂反应,增强未被光阻覆盖的金属氧化物半导体的导电能力;去除光阻形成钝化层。通过上述制备方法形成的TFT阵列基板,源栅之间和漏栅之间不会产生寄生电容,且源漏之间的阻抗较小,保证了TFT的开态电流。
  • 阵列基板、阵列基板制造方法及液晶显示屏-201611215026.3
  • 韦显旺;刘洋 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2016-12-23 - 2019-08-20 - H01L21/77
  • 本发明提供一种阵列基板及其制造方法,所述阵列基板包括基板,依次形成所述基板表面的栅极、栅极绝缘层、沟道层、绝缘层及钝化层,所述栅极绝缘层上还设有构成沟道层的氧化物半导体层及与氧化物半导体层间隔设置的多个第一IPS电极;所述绝缘层覆盖所述氧化物半导体层及多个第一IPS电极,所述钝化层覆盖所述沟道层并形成有沟槽,所述沟槽位于每个第一IPS电极一侧间并延伸至所述栅极绝缘层上;所述钝化层上形成与第一IPS电极对应的第二IPS电极,所述第二IPS电极与所述第一IPS电极连接。本发明还提供一种液晶显示屏。
  • 制作LTPS TFT基板的方法-201910274244.1
  • 林钦遵 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2019-04-08 - 2019-08-09 - H01L21/77
  • 本发明提出一种制作LTPS TFT基板的方法,包括:提供一基板,在所述基板上形成一缓冲层,在所述缓冲层上形成一图案化多晶硅有源层;形成覆盖所述图案化多晶硅有源层的一栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上形成具有阶梯状结构的金属层;以具有阶梯状结构的金属层为遮蔽层,对所述图案化多晶硅有源层进行离子植入,得到沟道区域、轻掺杂区域、重掺杂区域。
  • 发光面板的制备方法、发光面板及显示装置-201910333662.3
  • 谭志威 - 深圳市华星光电技术有限公司
  • 2019-04-24 - 2019-08-09 - H01L21/77
  • 本申请公开了一种发光面板的制备方法、发光面板及显示装置,该方法包括:提供一基板,在所述基板上形成第一金属层;对所述第一金属层做氧化处理以使在所述第一金属层上形成一氧化层;在所述氧化层上形成光阻层;对所述光阻层、所述氧化层及所述基板做图案化处理并剥离图案化的所述光阻层;在所述氧化层上依次形成第一钝化层、色阻层、第二钝化层及氧化铟锡薄膜。以使在使用的金属线为铜导线时,在干刻蚀时避免产生较多副产物。
  • 一种LED阵列基板及其制备方法、显示装置-201710758637.0
  • 胡月;施槐庭;廖金龙 - 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
  • 2017-08-29 - 2019-08-09 - H01L21/77
  • 本发明提供一种LED阵列基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,可解决发光功能层与基板的对位精度高的技术难题。所述LED阵列基板的制备方法,包括:在第一基板上形成至少一组电极组,所述电极组包括至少三个等间距设置的第一电极;在磁场作用下,控制所述电极组移动至一个像素区域,且每个所述第一电极位于所述像素区域的一个子像素区域中;在形成有所述第一电极的第一基板上形成对应每个所述第一电极的发光功能层;将所述第一基板上的所述发光功能层以及所述第一电极转移至第二基板上,使所述发光功能层与位于所述第二基板上子像素区域的第二电极一一对应并接触,形成LED。
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