[发明专利]一种纳米壁状硫化亚铜薄膜的制备工艺在审
| 申请号： | 201610594505.4 | 申请日： | 2016-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN106048692A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 于美;孟燕兵;刘建华;章锦丹;李松梅 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C25D11/34 | 分类号： | C25D11/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种纳米壁硫化亚铜薄膜的制备方法，先将铜基体在丙酮、乙醇和水中超声清洗，随后在盐酸溶液中进行活化并放置备用；配制Na2S和NaOH的混合溶液作为阳极氧化液；以Pt电极作为阴极，铜基体作为阳极，放置在溶液中，在0.5‑1.5V的电压下进行阳极氧化反应，反应时间为1‑30min。该方法制备出的纳米壁硫化亚铜薄膜均一致密，制备工艺简单，制备条件温和，环境友好，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 硫化 薄膜 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种纳米壁状硫化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于：1)将铜基体在丙酮，乙醇和去离子水中各超声波清洗10‑20min，再在0.1‑1mol/l的盐酸溶液中活化5‑15min，吹干待用；2)配制Na2S溶液，使得其浓度为0.1‑1mol/l，并在其中加入一定量的NaOH，浓度为0.01‑0.1mol/l，作为阳极氧化液；3)以Pt电极作为阴极，铜基体作为阳极，在电压0.5‑1.5V下，阳极氧化1‑30min；4)将得到的铜基体在40‑60℃干燥箱中干燥30‑60min。
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