[发明专利]一种数据处理及防掉电数据保护方法有效

专利信息
申请号: 201610593113.6 申请日: 2016-07-26
公开(公告)号: CN106227680B 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 周留洋;周道双;任仕玖;曾雪琴 申请(专利权)人: 成都三零嘉微电子有限公司
主分类号: G06F12/16 分类号: G06F12/16
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 徐静
地址: 610041 四川省成都市高新区云华*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及智能IC(集成电路)卡领域,尤其是一种数据处理及防掉电数据保护方法。本发明针对现有技术存在的问题,提供一种数据处理及防掉电数据保护方法,确保智能IC卡在突然掉电的情况下,通过掉电保护写和掉电恢复过程有序运行,对智能IC卡进行数据更新,实现完整的状态转换,从而实现完整的数据保护写与恢复过程。增强了智能卡对数据保护的能力。保证重要数据不会因为掉电而丢失,并且增强了智能IC卡使用寿命。
搜索关键词: 一种 数据处理 掉电 数据 保护 方法
【主权项】:
1.一种数据处理方法,其特征在于包括:步骤1:在进行数据写操作时,先将用户数据按照RAM数据结构格式写入第一RAM区的数据段,判断是否n段的用户数据段已经写完;如果不是,则继续将剩余用户数据段写入RAM;如果是,则将第一FLASH区数据擦除,将第一RAM区的i个数据除总标志外写入第一FLASH区;i∈(1,n);步骤2:当第一RAM区的第i段数据除总标志外写入第一FLASH区后;步骤3:根据第一RAM区第i段数据的目的地址,从该地址对应的目的FLASH区中读取FLASH数据到第二RAM区,根据第一RAM区第i段数据的目的地址,从该地址对应的目的FLASH区中读取该块FLASH数据到第二RAM区,用第一RAM区第i段数据的数据更新第二RAM区对应地址的第i个数据,然后擦除第二FLASH区所有数据,将第二RAM区的所有数据写入第二FLASH区,最后擦除目的FLASH区所有数据,将第二RAM区的所有数据写入目的FLASH区;步骤4:判断是否所有的用户数据段已经写完,如果不是,则令i=i+1,转步骤1;否则, n段的所有数据全部更新完毕,结束写操作;其中,总标志位于第一RAM区和第一FLASH区的数据头区,该标志表示掉电保护写过程中,所有数据段的总体进行状态。
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