[发明专利]一种钆钇离子注入的镀锌钕铁硼磁体及其制备方法在审
| 申请号： | 201610555139.1 | 申请日： | 2016-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN106024238A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 唐睿;沈军 | 申请（专利权）人： | 安徽万磁电子有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02;C22C38/32;C22C38/06;C22C38/16;C22C38/10;C22C38/12;C22C38/14;B22F1/02;B22F3/24;C23C14/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 231500 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种钆钇离子注入的镀锌钕铁硼磁体，由下述组分按质量百分比组成：Pr‑Nd：25‑35％、B：0.5‑1.5％、Al：0.1‑1％、Cu：0‑0.2％、Co：1‑2％、Ga：0.1‑1％、Nb：0.02‑0.08％、Zr：0.01‑0.05％、介孔二氧化硅0.1‑1％，余量为Fe和材料中少量不可避免的杂质；本发明生产的烧结钕铁硼磁体晶型结构均匀，靠近磁体核心的区域重稀土含量偏低，保证了磁体的剩磁基本不受影响，靠近磁体表面的区域重稀土含量偏高，显著提高了磁体的矫顽力，钕铁硼烧结磁体的缺点得到全面改善、优点得到大幅提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 镀锌 钕铁硼 磁体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钆钇离子注入的镀锌钕铁硼磁体，其特征在于由下述组分按质量百分比组成：Pr‑Nd：25‑35％、B：0.5‑1.5％、Al：0.1‑1％、Cu：0‑0.2％、Co：1‑2％、Ga：0.1‑1％、Nb：0.02‑0.08％、Zr：0.01‑0.05％、介孔二氧化硅0.1‑1％，余量为Fe和材料中少量不可避免的杂质；所述的Pr‑Nd合金中Nd含量为20‑40wt％；所述的介孔二氧化硅的粒径为100‑200nm、孔径为10‑20nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽万磁电子有限公司，未经安徽万磁电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610555139.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：露天秧盘育苗大田畦面整理方法
- 下一篇：一种具有分区散热功能的通信机房
