[发明专利]一种基于小电容的单相静止无功发生器及控制方法在审
| 申请号： | 201610549844.0 | 申请日： | 2016-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN106159970A | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 魏业文;刘国特;王辉;程江洲;黄悦华 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | H02J3/18 | 分类号： | H02J3/18 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 吴思高 |
| 地址： | 443002*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种基于小电容的单相静止无功发生器及控制方法，包括IGBT晶体管T1～T4、直流电容XC，IGBT晶体管T1～T4分别反向并联有二极管D1～D4。IGBT晶体管T1与IGBT晶体管T2串联，构成第一桥臂，串联的连接点为a；IGBT晶体管T3与IGBT晶体管T4串联，构成第二桥臂，串联的连接点为b。第一桥臂、第二桥臂分别与直流电容XC并联；连接点a、连接点b分别与单向电网的火线L和零线N相连，连接点a与火线L之间连接有限流电抗器XL。本发明一种基于小电容的单相静止无功发生器及控制方法，包括电路结构和控制方式，它采用IGBT控制且易扩展，能够补充三相STATCOM在补偿容量方面的不足，并能达到优化无功控制效果的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 电容 单相 静止 无功 发生器 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种基于小电容的单相静止无功发生器电路拓扑，其特征在于：包括IGBT晶体管T1～T4、直流电容XC，IGBT晶体管T1～T4分别反向并联有二极管D1～D4，IGBT晶体管T1与IGBT晶体管T2串联，构成第一桥臂，串联的连接点为a；IGBT晶体管T3与IGBT晶体管T4串联，构成第二桥臂，串联的连接点为b；第一桥臂、第二桥臂分别与直流电容XC并联；连接点a、连接点b分别与单向电网的火线L和零线N相连，连接点a与火线L之间连接有限流电抗器XL。
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