[发明专利]一种两级比较器

摘要

一种两级比较器电路，属于模拟集成电路技术领域。包括：由第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)和第四PMOS管(MP4)组成的输入级；以及由第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)、第七NMOS管(MN7)、第八NMOS管(MN8)、第九NMOS管(MN9)、第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(MP7)和第八PMOS管(MP8)组成的锁存级。通过对锁存级电路中节点X+和X‑的复位，降低了电路的失调和噪声；通过在输入级电路中加上一对交叉耦合的晶体管MP1和MP2，使比较器保持高速工作的特点。本发明比较器适用于高精度的系统电路里。

主权项

一种两级比较器，包括输入级和锁存级，输入级由3个NMOS管和4个PMOS管构成，锁存级由6个NMOS管和4个PMOS管构成；输入级中第一NMOS管(MN1)、第三PMOS管(MP3)和第四PMOS管(MP4)的栅极接时钟信号(CLK)；第一NMOS管(MN1)的漏极接第二NMOS管(MN2)的源极和第三NMOS管(MN3)的源极；第二NMOS管(MN2)的栅极接输入信号(VINN)；第三NMOS管(MN3)的栅极接输入信号(VINP)；第二NMOS管(MN2)的漏极、第三PMOS管(MP3)的漏极、第一PMOS管(MP1)的漏极和第二PMOS管(MP2)的栅极接输入级的DI+输出端；第三NMOS管(MN3)的漏极、第四PMOS管(MP4)的漏极、第二PMOS管(MP2)的漏极和第一PMOS管(MP1)的栅极接输入级的DI‑输出端；第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)的源极接电源电压；第一NMOS管(MN1)的源极接地；锁存级中第六NMOS管(MN6)的栅极、第八NMOS管(MN8)的栅极和第七PMOS管(MP7)的栅极接输入级的DI+输出端；第七NMOS管(MN7)的栅极、第九NMOS管(MN9)的栅极和第八PMOS管(MP8)的栅极接输入级的DI‑输出端；第六NMOS管(MN6)的漏极、第四NMOS管(MN4)的漏极、第五PMOS管(MP5)的漏极、第五NMOS管(MN5)的栅极和第六PMOS管(MP6)的栅极接OUTN输出节点；第四NMOS管(MN4)的栅极、第五PMOS管(MP5)的栅极、第五NMOS管(MN5)的漏极、第七NMOS管(MN7)的漏极和第六PMOS管(MP6)的漏极接OUTP输出节点；第五PMOS管(MP5)的源极、第八NMOS管(MN8)漏极和第七PMOS管(MP7)的漏极接X+节点；第八PMOS管(MP8)的漏极、第六PMOS管(MP6)的源极和第九NMOS管(MN9)的漏极接X‑节点；第七PMOS管(MP7)的源极和第八PMOS管(MP8)的源极接电源电压；第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)、第六NMOS管(MN6)、第七NMOS管(MN7)、第八NMOS管(MN8)和第九NMOS管(MN9)的源极接地。