[发明专利]一种低发射率及低吸收比热控涂层的制备方法

摘要

本发明涉及一种低发射率及低吸收比热控涂层的制备方法。包括以下操作步骤(1)按常规铝合金浸蚀处理方法进行前处理；(2)将前处理天线阵面放入化学抛光溶液中化学抛光；(3)将抛光天线阵面按电压——时间动态参数关系微调技术进行电化学氧化；(4)按常规热纯水封孔处理，得到具有高精度低发射率/低吸收比热控涂层的铝合金缝隙波导天线阵面；(5)按常规半球发射率和太阳低吸收比测试方法进行测试；测试结果是半球发射率εH为0.32±0.02，太阳吸收比αs为0.18±0.02；(6)本发明的高精度低发射率及低吸收比热控涂层经总遭遇量为1.6×1020个/cm2的耐原子氧空间环境试验后，外观完好，不起泡、不起皮，不剥落，试验前后半球发射率和太阳吸收比的变化小于0.02。

主权项

一种低发射率及低吸收比热控涂层的制备方法，其特征在于：(1)前处理将待处理铝合金缝隙波导天线阵面按常规铝合金浸蚀处理方法处理，得到前处理天线阵面；(2)化学抛光将前处理天线阵面放入化学抛光溶液中抛光，抛光温度120±10℃、时间20～50秒，得到抛光天线阵面；(3)电化学氧化将抛光天线阵面按常规铝合金氧化溶液，在电压－时间动态参数关系条件下，氧化工艺条件是：硫酸(H2SO4)180～200g/L、铝离子≤15g/L、温度17±1℃、额定总电流18A、电压范围5～8V、时间1300～900s；得到氧化天线阵面；电压－时间动态参数关系：当起始电压为5.7～6.1V、稳定电压为6.6～7.0V时，为获得半球发射率εH为0.32±0.02，则氧化时间为1100～1240秒，电压每增加0.1V，时间参数就相应缩短20～30秒；(4)封孔对氧化天线阵面上的缝隙进行常规热纯水封孔处理，水的pH值为5.5～7、温度95～100℃、时间5分钟；得到具有低发射率及低吸收比热控涂层的铝合金缝隙波导天线阵面；(5)热辐射性能指标测试对具有低发射率及低吸收比热控涂层的铝合金缝隙波导天线阵面按常规热辐射性能指标测试方法进行测试；测试结果是低发射率及低吸收比热控涂层的热辐射性能指标半球发射率εH为0.32±0.02，太阳吸收比αs为0.18±0.02。