[发明专利]一种带有独立数据搬移通道的复合存储阵列及其数据调度方法有效

专利信息
申请号: 201610490310.5 申请日: 2016-06-24
公开(公告)号: CN107544745B 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 徐庶;陆宇 申请(专利权)人: 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 代理人: 张慧英
地址: 311121 浙江省杭州市余*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种带有独立数据搬移通道的复合存储阵列及其数据调度方法,主要包括逻辑控制模块、地址解析模块、读写驱动感应电路、SRAM阵列、NVM阵列、数据搬移地址解析模块、数据搬移地址驱动模块;本发明具备更高的芯片集成度,降低了成本,也降低了数据搬移延时和功耗。另外,提供了一种带有独立数据搬移通道的复合存储阵列的数据调度方法,可随时根据其所存储的数据热度不同,选择由内部数据搬移通道将数据搬移至NVM阵列存储,并关闭完成数据搬移的SRAM单元阵列电源以降低复合模块能耗,数据搬移过程始终在后台进行,与复合模块的正常读写过程同步,通过这种数据调度的方式可以实时降低复合存储阵列模块能耗。
搜索关键词: 一种 带有 独立 数据 搬移 通道 复合 存储 阵列 及其 调度 方法
【主权项】:
一种带有独立数据搬移通道的复合存储阵列模块,其特征在于包括:逻辑控制模块(1)、物理地址解析模块(2)、读写驱动感应放大模块(3)、SRAM阵列(4)、NVM阵列(5)、数据搬移地址解析模块(6)、数据搬移地址驱动模块(7);逻辑控制模块(1)分别与物理地址解析模块(2)、读写驱动感应放大模块(3)、数据搬移地址解析模块(6)、数据搬移地址驱动模块(7)连接;物理地址解析模块(2)分别与SRAM阵列(4)、NVM阵列(5)相连;读写驱动感应放大模块(3)分别与SRAM阵列(4)、NVM阵列(5)相连;数据搬移地址解析模块(6)分别与SRAM阵列(4)、NVM阵列(5)连接;数据搬移地址驱动模块(7)分别与SRAM阵列(4)、NVM阵列(5)相连。
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