[发明专利]一种阴离子交换膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种阴离子交换膜及其制备方法，所述膜以金属氢氧化物纳米片为基材构筑，所述金属氢氧化物纳米片的化学通式为:[M²⁺_1‑xM³⁺_x(OH)₂]^x+[A^n‑_x/n·zH₂O]，其中M²⁺和M³⁺分别为二价和三价金属阳离子，A^n‑为在碱性溶液中可稳定存在的阴离子。一种阴离子交换膜的制备方法，包括以下两步:(1)合成金属氢氧化物纳米片；(2)将金属氢氧化物纳米片铸成膜。本发明与多层堆积结构的金属氢氧化物相比，二维结构的金属氢氧化物纳米片对阴离子的束缚较小，即阴离子具有更强的迁移能力，进而获得导电性更高的阴离子交换膜。另外金属氢氧化物纳米片中不涉及多数阴离子交换膜所利用的季胺基团，避免了高温强碱环境下季胺基降解的问题，具有很好的稳定性。最后，该阴离子交换膜的制备方法简单易行，且无剧毒有机溶剂的大量使用。

主权项

一种阴离子交换膜，其特征在于，所述膜以金属氢氧化物纳米片为基材构筑，所述金属氢氧化物纳米片的化学通式为:[M²⁺_1‑xM³⁺_x(OH)₂]^x+[A^n‑_x/n·zH₂O]，其中M²⁺和M³⁺分别为二价和三价金属阳离子，A^n‑为在碱性溶液中可稳定存在的阴离子，n是1以上的整数,x为0.1‑0.4,z为0以上。