[发明专利]一种钕铁硼磁体晶界扩渗的制备方法在审
| 申请号： | 201610423986.2 | 申请日： | 2016-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN105895358A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 高学绪;包小倩;卢克超;汤明辉;李纪恒 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057;C23C10/30 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于磁性功能材料领域，特别提供了一种钕铁硼磁体晶界扩渗的制备方法。其特征在于将R－M合金氢破粉作为钕铁硼磁体晶界扩渗的扩渗源，其中R为La,Ce,Pr,Nd,Gd,Tb,Dy,Ho中的至少一种，M为Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Ga,Al中的至少一种，M的原子分数5－30％。具体工艺步骤为：用速凝法制备R－M合金薄片；将合金薄片进行氢破处理得到R－M氢破粉；将R－M氢破粉附着在钕铁硼磁体的表面作为扩渗源；进行晶界扩渗及退火热处理。该发明的主要优点是：R－M氢破粉具有很强的抗氧化性；R‑M氢破粉熔点低，扩渗效率高；工艺简单，操作方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钕铁硼 磁体 晶界扩渗 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种钕铁硼磁体晶界扩渗的制备方法，其特征在于将R－M合金氢破粉作为钕铁硼磁体晶界扩渗的扩渗源，其中R为La,Ce,Pr,Nd,Gd,Tb,Dy,Ho中的至少一种，M为Fe,Co,Ni,Cu,Zn,Ga,Al中的至少一种，M的原子分数5－30％；具体工艺步骤为：1)用速凝法制备厚度为50－500μm的R－M合金薄片；2)将合金薄片进行氢破处理得到R－M氢破粉；3)将R－M氢破粉附着在钕铁硼磁体的表面作为扩渗源；4)进行晶界扩渗及退火热处理。
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