[发明专利]他克莫司化合物及其制备方法

摘要

本发明涉及药物纯化技术领域，公开了一种高纯度他克莫司化合物及其制备方法。本发明将预处理过的他克莫司粗品经过含银离子聚合物树脂柱层析洗脱，洗脱液浓缩后进行重结晶，获得高纯度他克莫司。本发明提供的方法规模化生产操作简单，溶媒耗用量少，生产周期短，成本低，友好环境，经HPLC检测，他克莫司粗品中最难分离的子囊霉素和二氢他克莫司完全去除。他克莫司归一化纯度为99％以上，并且所获他克莫司晶体的粒度分布均匀、晶体内应力和堆密度小，其稳定性、流动性、分散性和溶解性均较好。提高了他克莫司的质量及用药安全。

主权项

1.一种他克莫司的制备方法，包括如下步骤：1)将含有子囊霉素和二氢他克莫司杂质的他克莫司粗品吸附到含银离子聚合物树脂上，上样量为10mg/ml；2)用体积比为45:55的乙醇/乙酸乙酯混合溶媒洗脱，收集含有他克莫司的流份，浓缩后获得他克莫司浓缩物；3)用乙醇溶解他克莫司浓缩物，搅拌条件下溶解完全后流加分批加入水，开始析晶，线性降温，析晶完全后过滤、干燥，即获得他克莫司；其中，所述他克莫司粗品的重量含量为90％，子囊霉素和二氢他克莫司的含量分别为1.56％和4.11％；所述的流加分批加入水的操作方法为：第一批加入水与溶媒乙醇的体积比为0.8:1；接着加入晶种，所述晶种占他克莫司粗品重量的2％；搅拌1h，第二批加入水与溶媒乙醇的体积比为0.4:1，时间控制在1h；所述的开始析晶时的温度为32℃；所述的线性降温的速率为5℃/h，线性降温至8℃。