[发明专利]一种硫化钼/硒化钼复合材料及其制备和应用有效
申请号: | 201610392008.6 | 申请日: | 2016-06-03 |
公开(公告)号: | CN106099053B | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 刘天西;张超;杨静;王开;刘思良;李乐 | 申请(专利权)人: | 东华大学 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/0525;H01G11/24;H01G11/30;H01G11/86;B01J27/057;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人: | 黄志达 |
地址: | 201620 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种硫化钼/硒化钼复合材料及其制备和应用,硫化钼/硒化钼复合材料为硫化钼纳米片表面原位生长硒化钼纳米片;其中硒化钼纳米片以卷曲的片状形式垂直生长在硫化钼纳米片层上。制备:通过超声辅助剥离法制备单层或少层硫化钼纳米片,再通过溶剂热法在单层或少层硫化钼纳米片上原位生长少层硒化钼纳米片。应用:在析氢催化剂、锂离子电池及超级电容器等能源领域有广泛的应用。本发明通过简单的制备工艺设计,在超声剥离的单层或少层硫化钼纳米片层上生长少层硒化钼纳米片层,获得具有多级孔的异质结构,改善其导电、催化等性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 硫化 硒化钼 复合材料 及其 制备 应用 | ||
【主权项】:
1.一种硫化钼/硒化钼复合材料,其特征在于:所述硫化钼/硒化钼复合材料为硫化钼纳米片表面原位生长硒化钼纳米片;其中硒化钼纳米片以卷曲的片状形式垂直生长在硫化钼纳米片层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东华大学,未经东华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610392008.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。