[发明专利]一种在绝缘基体上制备石墨烯薄膜的方法有效
| 申请号： | 201610381337.0 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN106082178B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 赵崇军;王圣琪;邵肖肖;马越;赵莉;钱秀珍 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200237 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种一步法在绝缘基体上制备石墨烯薄膜的方法。通过将绝缘基体在含有弱酸的氧化石墨烯溶液中的水热过程处理，即可在基体表面得到均一的石墨烯薄膜。该制备方法无需贵重仪器设备、过程简单易控、成本低，易于推广。负载有石墨烯薄膜的绝缘基体，可以用作电学或者电化学的器件，有很广泛的潜在应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 基体 制备 石墨 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在绝缘基体上生长石墨烯薄膜的方法，其特征在于包括如下步骤：(1)配制含有弱酸的氧化石墨烯水溶液，弱酸为醋酸、硼酸、磷酸、水杨酸、柠檬酸、乳酸中的一种或几种，弱酸的浓度范围为：0.01～0.5mol/L；(2)将步骤(1)中制得的混合溶液加入到水热釜内衬中，并将绝缘基体浸入混合溶液中，拧紧不锈钢外套后，进行水热处理，水热温度范围为90℃～220℃，水热处理时间为18～30小时；绝缘基体为陶瓷、玻璃、石英、二氧化硅、碳化硅、塑料中的一种；(3)水热处理结束并冷却后将基体取出，清洗后晾干，得到表面生长石墨烯薄膜的绝缘基体。
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