[发明专利]一种黄花倒水莲离体快繁育苗方法

摘要

本发明公开了涉及一种黄花倒水莲离体快繁育苗方法。其以黄花倒水莲嫩茎为外植体，经消毒后，接种于MS+6‑BA 2.0 mg/L+NAA 0.05 mg/L的启动培养基中诱导不定芽发生，继而将不定芽接种在附加不同种类及浓度外源激素的增殖及生根培养基上进行增殖和生根培养，并将生根试管苗移栽于炼苗基质炼苗。本发明建立的黄花倒水莲离体快繁体系，取材方便，稳定性好，重复性高，为实现黄花倒水莲优良种质的快速繁殖以及解决其野生资源匮乏而在生产上供不应求的现状提供方法。

主权项

1.一种黄花倒水莲离体快繁育苗方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，材料获取：当年生带有嫩茎的黄花倒水莲枝条；步骤二，材料预处理：外植体在洗洁精水中漂洗3‑5 min，然后用流水冲洗25‑35 min，在清洗过程中同时对过长或过大的枝条进行修剪，方便后续的消毒工作；步骤三，外植体消毒：取步骤二中预处理的黄花倒水莲枝条，用75%酒精消毒10s，再用 0 .1%的升汞消毒， 时间为15min；步骤四，诱导腋芽：将步骤三中经消毒后的材料切成长2cm带1‑2个叶腋的茎段，竖直插于培养基MS+6‑BA2.0mg/L+NAA0.05 mg/L中，附加30 .0g/L蔗糖，5 .0g/L琼脂，pH 5 .7，外植体培养12‑18d，叶腋处诱导出腋芽，在30d后即可长至2‑3cm高；步骤五，增殖培养：截取上述步骤四中诱导出的腋芽接种于增殖培养基中，黄花倒水莲增殖培养基为MS+6‑BA 1.5mg/L+NAA 0 .05mg/L，进行增殖培养，20‑25d培养一代；步骤六，生根培养：选取步骤五中获得的健壮试管苗，切取顶端长2cm接入生根培养基中进行生根培养，20d后试管苗生根；步骤七，炼苗移栽：将步骤六中生根良好，生长健壮的试管苗从组织培养室移至普通实验室或温室大棚，瓶内炼苗5d，然后将瓶盖揭开1/3的开度，炼苗2d，最后将瓶盖完全揭开，炼苗1d后，将组培苗从组培瓶中移栽至基质中，并用小拱棚覆盖；炼苗过程中，要保证基质足够的水分，并采取遮光措施；25d后即可成活；以上步骤四、五和六接种工作均在超净工作台中操作，试管苗的培养均在组织培养室内进行，其培养条件为：在温度25℃，光照强度1200‑1500Lx，光照周期12h/d的条件下进行的；步骤七炼苗移栽中的基质为红壤：腐殖土：珍珠岩=1:1:1或腐殖土：珍珠岩=1:1或全腐殖土中的一种；步骤六所述的生根培养基配方为1/2MS+IBA 0 .1 mg/L+ NAA 0 .3 mg/L+0 .2 g/L活性炭。