[发明专利]一种NBT基高温度低损耗陶瓷电容器的制备方法

摘要

本发明公开了一种NBT基高温度低损耗陶瓷电容器的制备方法，其化学组成通式满足：0.92Na_0.5Bi_0.5TiO₃‑0.08BaTiO₃‑xLiBa₂Nb₅O₁₅，其中x表示摩尔分数，0.2≤x≤0.5。本发明通过固相法分别制备主料Na_0.5Bi_0.5TiO₃，辅料BaTiO₃和LiBa₂Nb₅O₁₅，然后按照配比依次进行配料、球磨、烘干、造粒、过筛后压制成生坯，生坯于1120～1150℃保温2～3小时烧结，烧渗制备电极，制得该陶瓷电容器。本发明制备的陶瓷电容器以NBT为基体，向其中加入少量BaTiO₃，并采用具有LiBa₂Nb₅O₁₅进行掺杂改性，LiBa₂Nb₅O₁₅的掺入有利于压低NBT的介电峰，使得其在介电常数相对较高的情况下，同时可在较宽的温度范围内，保持较低的介电损耗。

主权项

一种NBT基高温度低损耗陶瓷电容器的制备方法，具有如下步骤：(1)按照化学计量比为0.92Na_0.5Bi_0.5TiO₃‑0.08BaTiO₃‑xLiBa₂Nb₅O₁₅，取BaTiO₃粉体、Na_0.5Bi_0.5TiO₃粉体和LiBa₂Nb₅O₁₅粉体进行混合，将得到的混合物进行球磨、烘干、造粒和过筛后，形成筛分料，其中x表示摩尔分数，0.2≤x≤0.5；(2)将步骤(1)所得筛分料制成试样，将试样在1120～1150℃保温2～3小时进行烧结，然后冷却至室温；(3)打磨并清洗步骤(2)烧结好的试样后，在试样正反两面均匀涂覆银电极浆料，于600～650℃烧结30～40分钟，得到NBT基高温度低损耗陶瓷电容器。