[发明专利]一种交叉四氧化三钴纳米片阵列、包含所述阵列的气体传感器及其用途有效
| 申请号： | 201610362040.X | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN106066351B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 朱丽萍;张子悦;文震 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 刘晓春 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种交叉四氧化三钴纳米片阵列、包含所述阵列的气体传感器及其用途。这种特殊的交叉四氧化三钴纳米片阵列中各纳米片之间相互交叉穿过，纳米片为介孔结构，在111℃左右选择性检测丙酮的灵敏度最高，为16.5。本发明的交叉四氧化三钴纳米片阵列克服了传统的四氧化三钴纳米片无法直接在只起支撑作用的绝缘衬底上生成阵列的问题，生产成本低，效率高，操作过程简单可控。所述交叉四氧化三钴纳米片阵列，具有开放式结构、较大的比表面积和电子迁移率，可以提供更多空间以利于气体分子的快速吸附和脱离，明显提高材料的气敏性能，具有很好的稳定性，60天内每3天测一次共进行20次测试，二十次测试性能变化率仅为±8%，非常适合用于传感器、丙酮检测、医疗检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 交叉 氧化 纳米 阵列 包含 气体 传感器 及其 用途 | ||
【主权项】：
1.一种交叉四氧化三钴纳米片阵列，其特征在于，所述阵列中各纳米片之间相互交叉穿过，所述的纳米片为介孔结构，所述的纳米片阵列在90℃～111℃左右选择性检测丙酮的灵敏度最高，所述纳米片阵列直接生长于绝缘衬底上。
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