[发明专利]太阳能级晶硅切片工艺

摘要

本发明涉及一种太阳能级晶硅切片工艺。主要解决了现有的太阳能级晶硅切片效率低、成本高及效益差的问题。该工艺包括1）固定；2）切割；3）去胶；4）装片；5）清洗：6）甩干；7）检验；8）入库。该太阳能级晶硅切片工艺通过合理的工艺过程，很好的降低了晶硅在切片过程中出现的碎片、裂片、厚薄片、线痕片及缺角片等不良现象，由于砂浆配方的改进结合转速、进给等因素使切线可以二次使用，大大降低了生产成本，提高作业效率，效益也得到大大的提升。

主权项

 一种太阳能级晶硅切片工艺，其特征在于：该工艺具体步骤如下：1）固定，将硅锭黏贴固定于粘棒台上，所述硅锭与粘棒台之间设有玻璃板，所述粘棒台还设有压块，硅锭两侧设有挡板，所述硅锭固定环境保持温度24‑28℃，湿度为30‑40%；2）切割，粘棒台置于切片机内部，安装切线，砂浆进入；3）去胶，切割完毕的硅锭移至水槽内，于水槽中至少放置10min，水温为60‑70℃；4）装片，戴手套将切片装入片篮内，同时对片进行初检；5）清洗，将片篮放置清洗槽，所述清洗槽包括清洗槽A、清洗槽B及清洗槽C，所述清洗槽A为溢流清洗加超声波清洗，所述清洗槽B放有清洗剂，所述清洗槽C为纯水清洗，所述每个槽内放置时间4‑7min；6）甩干，清洗完毕的切片，以片篮为单位移至甩干机中，甩干机内充有氮气，甩干转速为380‑450转/分钟，时间160‑200s；7）检验，目测有无碎片、破片、油污、亮边、色差、划线、断线、线痕、薄厚，进行分类放置处理；8）入库，每7‑10片用纸片隔开，每箱放置45‑100片。