[发明专利]掌叶覆盆子脱毒种苗的离体快繁方法

摘要

本发明涉及一种掌叶覆盆子脱毒种苗的离体快繁方法，属于植物生物技术领域，通过取材灭菌、嫩枝诱导培养、根苗诱导培养、根苗扩繁培养及炼苗培养五大步骤，利用根苗生苗的方法，没有愈伤组织的形成，在扩繁培养基中可以一代代继代培养，克服了现有技术中采用扦插、压条、分株和根蘖等无性繁殖方法导致繁殖系数低以及种苗来源受到较大限制的问题，也克服了现有技术中长期采用无性繁殖导致产量下降和品质变劣的问题，从而保证了掌叶覆盆子的优良特性和性状，防止品种过快退化，并且繁殖周期短、速度快、系数高，适合规模化生产种苗，方便建立工厂化掌叶覆盆子组培苗的生产体系，为我国掌叶覆盆子产业提供大量高质量种苗，弥补掌叶覆盆子市场的不足。

主权项

1.一种掌叶覆盆子脱毒种苗的离体快繁方法，其特征在于，包括：1)取材灭菌：选择带有掌叶覆盆子腋芽的茎段作为外植体，对所述外植体进行灭菌处理；2)嫩枝诱导培养：将灭菌后的所述外植体接种到配置好的第一培养基中培养，生长出嫩枝，其中，所述第一培养基为MS培养基，并在所述MS培养基中加入浓度为1.0‑1.5mg/L的6‑BA以及浓度为0.05‑0.1mg/L的NAA；3)根苗诱导培养：将长出的嫩枝直接或者切分转接到第二培养基中进行根苗诱导培养，所述第二培养基为QL培养基，并在所述QL培养基中加入浓度0.5‑1.0mg/L的6‑BA以及浓度为0.05‑0.1mg/L的NAA；4)根苗扩繁培养：将诱导出的根苗转接到第三培养基中进行根苗扩繁培养，所述第三培养基与步骤3)中的第二培养基成分相同；5)炼苗培养：将扩繁培养后的根苗从第三培养基中移栽至穴盘中，在温室中进行炼苗、壮苗生长以及常规管理；其中，在步骤1)中，将带有腋芽的茎段在流动的自来水下冲洗1～2小时，并在冲洗过程中，小心去除所述外植体的叶片和叶柄，经1～2小时水流后即可进行灭菌处理；所述灭菌处理包括：在超净工作台上用70％酒精表面消毒30秒，然后用13％～15％的双氧水消毒15分钟，再用无菌水冲洗3～5遍；所述掌叶覆盆子茎段的长度为1cm；所述第一培养基为MS培养基，并在所述MS培养基中加入浓度为1.0mg/L的6‑BA以及浓度为0.1mg/L的NAA；所述第二培养基和所述第三培养基均为QL培养基，并在所述QL培养基中加入浓度1.0mg/L的6‑BA以及浓度为0.1mg/L的NAA。