[发明专利]一种高速高线性全差分跟随器

摘要

本发明公开了一种高速高线性全差分跟随器，包括源极跟随器，所述源极跟随器包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、采样开关KP、采样开关KN和两个采样电容CL，该全差分跟随器还包括输入管衬底电压偏置电路，所述输入管衬底电压偏置电路包括第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管。在本发明中，输入管M1和M2的衬底电压会随着输入电压VIP和VIN的变化而变化，这会大大缓解传统输入NMOS管的衬底偏置效应，使得源极跟随器的输出阻抗趋于稳定，从而明显提高源极跟随器的线性度。

主权项

1.一种高速高线性全差分跟随器，包括源极跟随器，所述源极跟随器包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、采样开关KP、采样开关KN和两个采样电容CL，其特征在于：该全差分跟随器还包括输入管衬底电压偏置电路，所述输入管衬底电压偏置电路包括第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管，所述第五NMOS管的漏极、第七NMOS管的漏极分别与电源VDD连接，所述第五NMOS管的衬底与源极连接，第五NMOS管的源极分别与第六NMOS管的漏极、第一NMOS管的衬底连接，第六NMOS管的源极接地；所述第七NMOS管的衬底与源极连接，第七NMOS管的源极分别与第八NMOS管的漏极、第二NMOS管的衬底连接，第八NMOS管的源极接地；所述第一NMOS管的栅极与第五NMOS管的栅极接同样的输入信号VIP；所述第二NMOS管的栅极与第七NMOS管的栅极接同样的输入信号VIN，所述第三NMOS管的栅极、第四NMOS管的栅极、第六NMOS管的栅极和第八NMOS管的栅极接同样的偏置电压VB。