[发明专利]氧化铜/二氧化锰核壳纳米锥电极材料的制备方法及应用在审

专利信息
申请号: 201610333840.9 申请日: 2016-05-19
公开(公告)号: CN105869914A 公开(公告)日: 2016-08-17
发明(设计)人: 王育乔;王莎莎;李红颜;孙岳明 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: H01G11/46 分类号: H01G11/46;H01G11/86;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 210096*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种氧化铜/二氧化锰核壳纳米锥电极材料的制备方法及应用,具体步骤包括:a.将预处理的泡沫镍和硝酸铜水溶液置于水热釜中,在80‑160℃下反应3‑12h;冷却至室温,取出泡沫镍并清洗干净,真空干燥;经300‑500℃煅烧2‑6h即得到一维纳米氧化铜锥负载的泡沫镍。b.将步骤a中制得的一维纳米氧化铜锥负载的泡沫镍和浓度为0.01‑0.05M高锰酸钾水溶液置于水热釜中,在140‑170℃下反应1‑5h;冷却至室温,取出泡沫镍并清洗干净,真空干燥,即得到基于泡沫镍基底生长的以氧化铜为核,二氧化锰为壳的纳米锥电极材料。将该电极用于组装超级电容器,在0.4Ag‑1电流密度下其比容量为650Fg‑1;在充放电循环2000圈之后,其比容量保持85%以上。
搜索关键词: 氧化铜 二氧化锰 纳米 电极 材料 制备 方法 应用
【主权项】:
一种氧化铜/二氧化锰核壳纳米锥电极材料的制备方法,其特征在于采用水热法在泡沫镍表面上直接生长氧化铜/二氧化锰核壳纳米锥,具体步骤包括:a.将预处理的泡沫镍和硝酸铜水溶液置于水热釜中,在80‑160℃下反应3‑12h;冷却至室温,取出泡沫镍并清洗干净,真空干燥;经300‑500℃煅烧2‑6h即得到一维纳米氧化铜锥负载的泡沫镍。b.将步骤a中制得的一维纳米氧化铜锥负载的泡沫镍和浓度为0.01‑0.05M高锰酸钾水溶液置于水热釜中,在140‑170℃下反应1‑5h;冷却至室温,取出泡沫镍并清洗干净,真空干燥,即得到基于泡沫镍基底生长的以氧化铜为核,二氧化锰为壳的纳米锥电极材料。
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