[发明专利]石墨烯模板诱导纳米二硫化钼生长的制备方法

摘要

本发明公开了一种石墨烯模板诱导纳米二硫化钼生长的制备方法，其特征是首先将石墨烯及反应原料加入反应器中反应一段时间后超声处理，然后升温继续反应一段时间后，将产物离心，所得沉淀物取出、洗涤，然后置于石英管中在氢气或惰性气体环境下800～900℃高温煅烧即得。本发明的方法高效、操作工艺温和，可获得单层或少层二硫化钼纳米片，在催化、摩擦学及光电器件等领域有广阔的应用前景。

主权项

一种石墨烯模板诱导纳米二硫化钼生长的制备方法，其特征在于，以质量份计，包括以下步骤：步骤(1)、将0.0001～0.0003份石墨烯、0.1～0.3份柠檬酸、1～20份钼酸钠、0.2～5份硫化钠依次加入反应溶剂中，调pH至3～5，在温度60～80℃下，搅拌反应20～40min；步骤(2)、将步骤(1)得到的反应体系超声20～30min，调pH至6～7，升温至90～100℃，搅拌反应1～2h；将溶液离心，得到黑色沉淀物，洗净、烘干，得前驱物；步骤(3)、将步骤(2)所得前驱物置于石英管中在氢气或惰性气体环境下800～900℃高温煅烧2～4h即得纳米二硫化钼；所述的石墨烯为比表面积2600～2800m2/g的单层石墨烯；所述的纳米二硫化钼为层数少于5层的二硫化钼纳米片；所述的反应溶剂为水和1,2‑丙二醇质量比为4:1的混合溶剂；所述的离心为离心速度10000～15000rpm，离心时间5～20min；所述的洗净、烘干为去离子水冲洗3～5次，在50～60℃下真空干燥10h；所述的惰性气体为氮气或氩气。