[发明专利]一种低场大磁熵变的二维钆配位聚合物及其制备方法

摘要

本发明涉及一种低场大磁熵变的二维钆配位聚合物，其化学式为C4H6GdO8；本发明还提供其制备方法，包括以下步骤将氧化钆、丙二酸、草酸和水加入至反应釜中；将上述混合物升温至150‑170°C，反应65‑80小时后，降温至18‑25°C，得到块状晶体；收集晶体，并依次使用水和乙醇进行洗涤，真空干燥后可得到低场大磁熵变的二维钆配位聚合物。该制备方法基于钆离子较大的自旋基态以及钆离子间较弱的磁相互作用，制得低场大磁熵变的二维钆配位聚合物，为制备低场大磁熵变的稀土配合物指明新的方向；该二维钆配位聚合物具有相对较小的分子质量自旋比和大的磁热效应，在磁制冷方面具有潜在应用价值。

主权项

一种低场大磁熵变的二维钆配位聚合物，其特征在于，所述低场大磁熵变的二维钆配位聚合物的化学式为C4H6GdO8，所述低场大磁熵变的二维钆配位聚合物的晶体属于三斜晶系，P‑1空间群，其晶胞参数为：a = 7.42 Å，b = 7.84 Å，c = 8.56 Å，α= 111.3°，β= 98.9°，γ= 114.1°。