[发明专利]一种石墨烯促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法

摘要

本发明公布了一种石墨烯促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法，属于生物冶金技术领域。石墨烯具有导电性好、表面积大、透光性好等优点，能够促进光生电子转移，增加光生电子的利用率，从而显著增加半导体硫化矿物浸出率。嗜酸铁硫氧化细菌在添加0.2‑3 g/L石墨烯，光照条件下浸出半导体硫化矿物。光强6000‑12000 Lux 添加0.2‑3 g/L石墨烯的浸出结果与黑暗不添加石墨烯的浸出结果比较，其浸出率增加了28.9%‑49.7%，与光强6000‑12000 Lux不添加石墨烯的浸出结果比较，其浸出率增加了3.3%‑19.9%。本发明的方法能够显著提高半导体硫化矿物浸出率，使得半导体硫化矿物更具有综合利用价值。

主权项

1.一种石墨烯促进光催化半导体硫化矿物细菌浸出的方法，其特征在于包括以下步骤：（1）半导体硫化矿物的制备及培养基的配制；（2）嗜酸铁硫氧化细菌的驯化及培养，其中， 将驯化好的嗜酸铁硫氧化细菌在含有2%-5%半导体硫化矿的9K培养基中进行摇瓶扩大培养，驯化及培养时条件为初始pH 1.0-3.0，温度25-40℃，摇床转速 140-200 rpm；（3）将步骤（2）中培养好的嗜酸铁硫氧化细菌进行收集，并将其接入含0.2-3g/L的石墨烯以及1%-5%的半导体硫化矿物的9K培养基中进行浸出，在光照条件下进行浸出，浸出体系中嗜酸铁硫氧化细菌的接种量为 1×107-6×107个/ml，浸出条件为初始pH 1.0-3.0，温度25-40℃，摇床转速 140-200 rpm，光照强度为6000-12000lux。