[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201610304950.2 | 申请日： | 2016-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN105977205B | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 宁策;杨维;胡合合 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L21/465;H01L21/4763;H01L21/34;H01L21/44;H01L21/4757;H01L21/426;H01L21/425;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管和阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置。薄膜晶体管的制备方法包括：形成半导体层；对所述半导体层的一区域的表面层进行改性处理，以使所述半导体层的所述区域在沿垂直于所述半导体层的第一方向上的一部分形成蚀刻阻挡层，所述半导体层在蚀刻阻挡层的平行于所述半导体层的表面的第二方向的两侧保留有未被改性处理的部分；以及在所述半导体层上形成源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极形成在所述区域的垂直于所述第二方向的中线两侧，且在所述第二方向上彼此间隔。采用本发明的薄膜晶体管的制备方法，可以有效防止金属蚀刻液腐蚀有源层，提高薄膜晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制备方法，包括：形成半导体层；对所述半导体层的一区域的表面层进行改性处理，以使所述半导体层的所述区域在沿垂直于所述半导体层的第一方向上的一部分形成蚀刻阻挡层，并使所述半导体层在蚀刻阻挡层的平行于所述半导体层的表面的第二方向的两侧保留有未被改性处理的部分；以及在对所述半导体层进行所述改性处理之后，在所述半导体层上形成源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极形成在所述区域的垂直于所述第二方向的中线两侧，且在所述第二方向上彼此间隔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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