[发明专利]表面等离激元共振二次谐波信号产生材料及其制备方法和应用在审
申请号: | 201610296772.3 | 申请日: | 2016-05-06 |
公开(公告)号: | CN106019766A | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 单洁洁;沈少鑫;周勇亮;樊海涛;杨志林 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | G02F1/355 | 分类号: | G02F1/355;G02F1/37;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 张松亭;游学明 |
地址: | 361000 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种高效的表面等离激元共振二次谐波信号产生材料及其制备方法和应用。该方法结合纳米压印技术和电化学沉积技术制备得到具有三维形貌特点的固相有序的银纳米柱状阵列,并通过调控电化学沉积时间,使银纳米柱顶端的间隙达到亚10nm。实践证明,这种三维金属阵列结构可以很好地激发结构表面的等离激元共振效应,拥有增强因子约为1300(与粗糙金膜相比)的优异表面等离激元共振二次谐波信号放大能力,可以作为理想的二次谐波信号产生材料,同时也为等离激元非线性纳米结构材料的制备提供了新的设计思路。 | ||
搜索关键词: | 表面 离激元 共振 二次 谐波 信号 产生 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
一种表面等离激元共振二次谐波信号产生材料的应用,其特征在于:其用于表面等离激元共振二次谐波的产生,其中,所述的材料为平整金属层上设有伞形纳米结构金属阵列,金属阵列周期为300‑800nm,纳米柱伞盖部分的直径为200‑800纳米,伞柄部分的直径为200‑400nm,总高度为200‑500nm,纳米柱顶端间隙为0‑50纳米。
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